此外,在使用单一晶片的实验中,且在坩埚中引入大量硅以在坩埚中产生饱和硅蒸气环境时,晶片的Si面部分被SEG覆盖,而在C面上没有发现石墨烯。 实验结果表明,覆盖有SEG的(0001)面极其稳定,比任何其他SiC面都稳定,特别是比裸露的(0001)面更稳定,这为生产出晶圆级别的单晶SEG提供了重要依据。图2. 半导体石墨烯的表征, (a)完整的的复合电子显微镜图像。...
01Semicon China 2021展期:2021年3月17日-19日展馆:上海新国际博览中心地址:上海市浦东新区龙阳路2345号展位号:N3-3137马尔文帕纳科半导体行业薄膜测量解决方案展位号 N3-3137多年来,电子行业在硅半导体、数据存储、随机存取存储器(RAM)、集成电路(IC)和RF射频滤波器技术的支持下迅速发展,这些器件大多在硅晶片基板上采用多层薄膜。...
因此,凡是基于硅的压阻效应为测量原理的传感器,必须进行温度补偿,这是不利的一面;而可利用的一面则是,在测量其他参数的同时,可以直接对温度进行测量。 二、多晶硅 多晶硅是许多单晶(晶粒)的聚合物。这些晶粒的排列是无序的,不同晶粒有不同的单晶取向,而每一晶粒内部有单晶的特征。晶粒与晶粒之间的部位叫做晶界,晶界对其电特性的影响可以通过掺杂原子浓度调节。...
HD-RTS-8型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准而设计的,专用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。 ...
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