GB/T 14141-2009
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法
Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
GBT14141-2009, GB14141-2009
GB/T 14141-2009 中，可能用到以下仪器
- 标准号
- GB/T 14141-2009
- 别名
- GBT14141-2009
GB14141-2009 - 发布
- 2009年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 当前最新
- GB/T 14141-2009
- 引用标准
- GB/T 11073-2007 GB/T 1552-1995
- 被代替标准
- GB/T 14141-1993
- 本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2μm的薄层,方块电阻的测量范围为10Ω～5000Ω。该方法也可以适用于更高或更低阻值方块电阻的测量，但其测量精确度尚未评...
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