GB/T 14141-2009
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法

Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array


说明:

  • 此图仅显示与当前标准最近的5级引用;
  • 鼠标放置在图上可以看到标题编号;
  • 此图可以通过鼠标滚轮放大或者缩小;
  • 表示标准的节点,可以拖动;
  • 绿色表示标准:GB/T 14141-2009 , 绿色、红色表示本平台存在此标准,您可以下载或者购买,灰色表示平台不存在此标准;
  • 箭头终点方向的标准引用了起点方向的标准。

GB/T 14141-2009



标准号
GB/T 14141-2009
发布日期
2009年10月30日
实施日期
2010年06月01日
废止日期
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
发布单位
CN-GB
引用标准
GB/T 1552-1995 GB/T 11073-2007
被代替标准
GB/T 14141-1993
适用范围
本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2μm的薄层,方块电阻的测量范围为10Ω~5000Ω。该方法也可以适用于更高或更低阻值方块电阻的测量,但其测量精确度尚未评估。

GB/T 14141-2009系列标准


GB/T 14141-2009 中可能用到的仪器设备


谁引用了GB/T 14141-2009 更多引用





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号