GB/T 14144-2009
硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
Testing method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon
GBT14144-2009, GB14144-2009
- 标准号
- GB/T 14144-2009
- 别名
- GBT14144-2009
GB14144-2009 - 发布
- 2009年
- 采用标准
- SEMI MF 1188-1105 MOD
- 发布单位
- 国家质检总局
- 当前最新
- GB/T 14144-2009
- 引用标准
- GB/T 14264-2009 GB/T 1557-2006
- 被代替标准
- GB/T 14144-1993
- 本标准采用红外光谱法测定硅晶体中间隙氧含量径向的变化。本标准需要用到无氧参比样品和一套经过认证的用于校准设备的标准样品。
本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω•cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω•cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。
本标准测量氧含量的有效范围从1×10
at•cm 至硅晶体中间隙氧的最大固溶度。
GB/T 14144-2009相似标准
推荐
掺氮直拉单晶硅（Nitrogen-doped CZ Silicon, NCZ-Si）中氮的低温远红外测量
直拉晶体硅中掺氮可用来调控原生氧沉淀和空洞型缺陷，从而提高硅晶体的质量，已经在产业界广泛应用，除了间隙氧、代位碳、III-V族元素检测以外，氮的测量也是硅材料界的一个热点课题。众所周知，直拉单晶硅中含有较高浓度（浓度范围1017-1018cm-3）的间隙氧（Oi），当氮掺入直拉硅单晶中时，除了以氮-氮对（N-N）形式存在以外，氮还会和氧作用形成氮氧复合体（N-O complexes）。...
快速了解硅氧的吸收峰
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于硅氧硅的红外吸收峰的标准 GB/T 1557-2018 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 国家质检总局，关于硅氧硅的红外吸收峰的标准 GB/T 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1557-1989 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 德国标准化学会，关于硅氧硅的红外吸收峰的标准 DIN 50438...
展会预告|与您相约SEMICON CHINA 2023
：间隙氧，代位碳，III_VI族杂质元素分析；光伏硅晶体质量控制：间隙氧，代位碳，施主，受主元素含量；切割前硅晶棒、硅锭中氧含量轴向分布分析；高纯锗、化合物半导体中杂质元素分析。...
明天见 | 布鲁克光谱邀您参加SEMICON CHINA 2024
：间隙氧，代位碳，III-V族杂质元素分析；光伏硅晶体质量控制：间隙氧，代位碳，施主，受主元素含量；切割前硅晶棒、硅锭中氧含量轴向分布分析；高纯锗、化合物半导体中杂质元素分析。...