SJ/T 11404-2009
铌酸锂集成光学器件通用规范

General specifications for LiNbOintegrated optical devices

SJT11404-2009, SJ11404-2009


标准号
SJ/T 11404-2009
别名
SJT11404-2009, SJ11404-2009
发布
2009年
发布单位
行业标准-电子
当前最新
SJ/T 11404-2009
 
 
引用标准
GB/T 18310.4-2001 GB/T 191-2008 GB/T 2421-1999 GB/T 2423.1-2001 GB/T 2423.10-2008 GB/T 2423.11-1997 GB/T 2423.2-2008 GB/T 2423.22-2002 GB/T 2423.28-2005 GB/T 2423.5-1995 GB/T 2828.1-2003 GJB 128A-1997 GJB 4026-2000 SJ 20869-2003
适用范围
本规范规定了铌酸锂集成光学器件所需的质量评定程序、检验要求、筛选、抽样要求、试验和测量方法的内容。 本规范适用于由铌酸锂材料制作的强度调制器、相位调制器、光开关以及用于光纤陀螺的Y波导相位调制器等,由钽酸锂材料制造的具有类似功能的集成光学器件可参照执行。

SJ/T 11404-2009相似标准


推荐

有它助阵,集成光电子器件加工不再难

氮化硅是一种理想的辅助材料,具有与类似的折射率,通过合理的设计波导结构使得氮化硅—异质波导中的大部分光场仍然可以限制在层,从而发挥其优异的光学性能实现电光、声光及光学非线性器件。更重要的是,氮化硅是CMOS工艺兼容的材料,成熟的微纳加工工艺可以方便地实现氮化硅层的加工制作,有助于实现集成光电子芯片的大规模集成。...

我国率先实现单晶薄膜产业化

济南晶正电子科技有限公司采用离子注入及直接键合等技术,从体材料上剥离出厚度仅有数百纳米的单晶薄膜,用其制成器件与传统器件相比在性能、体积、功耗等方面都具有明显优势,在声表面波、电光调制、探测器、集成光学、非线性光学、信息存储等器件中具有重要应用前景。...

济南将建成国内最大光子晶体材料研发中心

项目规划建成5条单晶薄膜材料自动化生产线,达产后实现年产值7.5亿元,年出口创汇9000万美元。该工程于去年10月开工,计划今年4月中旬完成主体验收,进行净化车间装修装饰,预计6月底全部完工,具备投产条件。   据了解,晶体是重要的光电材料,是集成光学、非线性光学、光电子元器件等领域中应用最广泛、最重要的基片材料之一。...

微波光子芯片 高速精确低能耗

为了解决这些难题,王骋团队将超快电光转换模块与低损耗、多功能信号处理模块同时结合在一块芯片上,组成集成微波光子系统。而能实现卓越效能能的原因是负责集成的薄膜平台。 器件加工后的四英寸薄膜晶圆照片  受访者供图为什么是又被称为‘光子学之硅’,因为它对光子学的重要性堪比微电子学中的硅。”王骋说。...


SJ/T 11404-2009 中可能用到的仪器设备





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号