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半导体IGBT（动态&静态）测试系统（3）可靠性测试：考量 SiC 器件是否达到应用标准，是商业化应用的关键。半导体功率器件厂家在产品定型前都会做一系列的可靠性试验，以确保产品的长期耐久性能。（4）极限能力测试：如浪涌电流测试，雪崩能量测试浪涌电流是指电源接通瞬间或是在电路出现异常情况下产生的远大于稳态电流的峰值电流或过载电流。...
在同样的耐压和电流条件下，SiC器件的漂移区电阻要比硅低200倍，即使高耐压的SiC场效应管的导通压降，也比单极型、双极型硅器件的低得多。而且，SiC器件的开关时间可达10nS量级，并具有十分优越的FBSOA。SiC可以用来制造射频和微波功率器件，各种高频整流器，MESFETS、MOSFETS和JFETS等。SiC高频功率器件已在Motorola公司研发成功，并应用于微波和射频装置。...
设计得当的微活动结构，如微传感器，能达到极小的迟滞和蠕变、良好的重复性和长期稳定性以及高可靠性。所以用硅材制作硅压阻TOKO压力传感器，有利于解决长困扰传感器领域的3个难题——迟滞、重复性及长期漂移。 硅材料密度为2.33g/cm^2，是不锈钢密度的1/3.5，而弯曲强度却为不锈钢的3.5倍，具有较高的强度/密度比和较高的刚度/密度比。...
SiC器件主要存在两个可靠性问题——栅极氧化物稳定性和阈值电压稳定性。栅极氧化物稳定性：与功率MOSFET类似，SiC器件也是垂直器件，使用与MOSFET相同的栅极氧化物材料（二氧化硅），但是SiC器件在更高的内部电场工作，因此栅极氧化物在实际工作中寿命可能缩短。目前SiC中的栅极氧化问题已经被理解，TDDB(时变电介质击穿)是时效机制，目前已经已经得到很大解决。...
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