根据栅的结构,场效应晶体管可以分为三种: ①结型场效应管(用PN结构成栅极); ②MOS场效应管(用金属-氧化物-半导体构成栅极,见金属-绝缘体-半导体系统); ③MES场效应管(用金属与半导体接触构成栅极);其中MOS场效应管使用广泛。尤其在大规模的发展中,MOS大规模集成电路具有特殊的优越性。MES场效应管一般用在GaAs微波晶体管上。 ...
本期内容预览二维材料之间的原子级厚的欧姆边缘接触;单层MoS2-石墨烯异质结的能带结构和最小带隙;通过化学气相沉积合成高发光率的MoS2;MoS2基生物传感器的大规模生产;解锁Si-Ge核-壳纳米线量子点场效应晶体管的优异性能;以WS2和MoS2为基体的高灵敏度的浮栅晶体管;纳米线P-N结导电性的直接测量;锰氧化物薄膜中由界面耦合引起的铁磁绝缘相;六方氮化硼中点缺陷引起的紫外单光子发射;将胶体光电二极管直接整合到石墨烯光电晶体管上方得到混合光电检测器...
纳米片的平均厚度为3.8±0.9 nm,尺寸在0.5~2 μm之间。MoS2纳米片的结构表征。图片来源:Nature区别于锂离子插层法,这种策略所得MoS2纳米片保留了本征半导体2H晶相,分散液呈绿色。相比之下,锂离子插层法剥离后的MoS2分散液呈黑色,生成了1T晶相。光致发光光谱、XPS、紫外光谱等测试也证实了晶相的差别。...
Au@MoS2 异质结场效应光电晶体管(a) FET器件示意图;(b) FET器件光学显微镜图;(c) 相应传输特性;(d) 不同门电压的I−V曲线;(e) 光照下 I−V曲线的变化;(f) 不同光照能量下的传输曲线;(g) 周期光照下的I−t曲线;(h−j)能带图表明Au@MoS2光电晶体管中可能的电荷产生和传输机制;图5....
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