GB/T 14847-2010
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance


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GB/T 14847-2010



标准号
GB/T 14847-2010
发布日期
2011-01-10
实施日期
2011-10-01
废止日期
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
发布单位
CN-GB
引用标准
GB/T 1552 GB/T 6379.2 GB?T 14264
被代替标准
GB/T 14847-1993
适用范围
本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。 本标准适用于衬底在23℃电阻率小于0.02Ω·cm 和外延层在23℃电阻率大于0.1Ω·cm且外延层厚度大于2μm的n型和p型硅外延层厚度的测量;在降低精度情况下,该方法原则上也适用于测试 0.5μm~2μm之间的n型和p型外延层厚度。

GB/T 14847-2010 中可能用到的仪器设备


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