不知您是否为外延层厚度无损分析问题而困扰,在此我们介绍一种光学无损外延层厚度分析技术——傅立叶变换红外反射光谱法(FTIR)。 红外光谱法可用于测量半导体外延层厚度,无论硅基还是化合物半导体,且测量精度极高。此方法是基于红外光在层状结构中产生的光干涉效应的分析,结合基础的物理自洽拟合模型,充分利用所测得的光谱特征,拟合计算给出准确的层厚厚度值。...
外延薄膜硅太阳能电池具有成为体硅太阳能电池的低成本替代方案的潜力。与当前的体硅太阳能电池(200μm)相比,这种丝网印刷太阳能电池采用的衬底较便宜和有源硅层较薄(20μm)。这种低成本衬底包括高掺杂的晶体硅晶圆(用冶金级硅或废料加工的纯净硅)。用化学气相沉积法(CVD)在这种衬底上沉积一层外延有源硅薄层。 产业竞争力 外延薄膜硅太阳能电池的生产工艺与传统的体硅太阳能电池非常相似。...
图1 硅MBE的工作原理示意图2 硅分子束外延的发展历史背景相对于CVD缺点而发展起来。CVD缺陷 : 衬底高温 ,1050℃,向掺杂严重(跟高温有关) 。 原始的分子束外延 : 硅衬底加热至适当温度,真空下使硅蒸发 到硅衬底上 ,进行外延生长。生长准则 : 入射分子充分运动,达到衬底的热 表面 ,并以单晶形式排列。3 硅分子束外延的重要性硅MBE是在一个严格控制的低温系统中进行 。...
02.SiC外延片是SiC产业链条核心的中间环节目前碳化硅和氮化镓这两种芯片,如果想最大程度利用其材料本身的特性,较为理想的方案便是在碳化硅单晶衬底上生长外延层。 碳化硅外延片,是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜(外延层)的碳化硅片。实际应用中,宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上,碳化硅晶片本身只作为衬底,包括GaN外延层的衬底。 ...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号