GB/T 26066-2010
硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

Practice for shallow etch pit detection on silicon


标准号
GB/T 26066-2010
发布日期
2011-01-10
实施日期
2011-10-01
废止日期
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
发布单位
CN-GB
引用标准
GB/T 14264
适用范围
本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。 本标准适用于检测<111>或<100>晶向的p型或n型抛光片或外延片,电阻率大于0.001Ω·cm。




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