GB/T 26068-2010
硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance
GB/T 26068-2010 中，可能用到以下仪器设备
- 标准号
- GB/T 26068-2010
- 发布日期
- 2011年01月10日
- 实施日期
- 2011年10月01日
- 废止日期
- 无
- 中国标准分类号
- H80
- 国际标准分类号
- 29.045
- 发布单位
- CN-GB
- 引用标准
- SEMI MF978 SEMI MF1388 SEMI MF1530 GB/T 1550 GB/T 1552 GB/T 1553-2009 GB/T 6616 GB/T 6618 GB/T 11446.1 GB/T 13389 GB/T 14264 YS/T 679-2008
- 适用范围
- 1 本方法适用于测量均匀掺杂、经过抛光处理的n型或p型硅片的载流子复合寿命。本方法是非破坏性、无接触测量。在电导率检测系统的灵敏度足够的条件下，本方法也可应用于测试切割或者经过研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。 2 被测硅片的室温电阻率下限由检测系统灵敏度的极限确定，通常在0.05•cm～1Ω•cm之间。 3 分析工艺过程、检查沾污源以及对测量数据进行解释以判别杂质中心的形成机理和本质不在本方法范围内。本方法仅在非常有限的条件下，例如通过对比某特定工艺前后载流子符合寿命测试值，可以识别引入沾污的工序，识别某些个别的杂质种类。