GB/T 26068-2010
硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance
GBT26068-2010, GB26068-2010
2019-11
- 标准号
- GB/T 26068-2010
- 别名
- GBT26068-2010
GB26068-2010 - 发布
- 2011年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 替代标准
- GB/T 26068-2018
- 当前最新
- GB/T 26068-2018
- 引用标准
- GB/T 11446.1 GB/T 13389 GB/T 14264 GB/T 1550 GB/T 1552 GB/T 1553-2009 GB/T 6616 GB/T 6618 SEMI MF1388 SEMI MF1530 SEMI MF978 YS/T 679-2008
- 1 本方法适用于测量均匀掺杂、经过抛光处理的n型或p型硅片的载流子复合寿命。本方法是非破坏性、无接触测量。在电导率检测系统的灵敏度足够的条件下，本方法也可应用于测试切割或者经过研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。 2 被测硅片的室温电阻率下限由检测系统灵敏度的极限确定，通常在0.05•cm～1Ω•cm之间。 3 分析工艺过程、检查沾污源以及对测量数据进行解释...
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