GB/T 29055-2012
太阳电池用多晶硅片

Multi-crystalline silicon wafer for solar cell

GBT29055-2012, GB29055-2012

2020-05

标准号
GB/T 29055-2012
别名
GBT29055-2012, GB29055-2012
发布
2012年
发布单位
国家质检总局
替代标准
GB/T 29055-2019
当前最新
GB/T 29055-2019
 
 
引用标准
GB/T 14264 GB/T 1550 GB/T 1551 GB/T 2828.1 GB/T 29054 GB/T 6616 GB/T 6618 GB/T 6619 SEMI MF1535
适用范围
本标准规定了太阳电池用多晶硅片的术语定义、符号及缩略语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于铸锭多晶切片垂直于长晶方向生产的太阳电池用多晶硅片。

GB/T 29055-2012相似标准


推荐

解析光伏电池板为何产生光衰减现象

D、改变掺杂剂,镓代替硼  掺稼的硅片制作的电池,没有发现太阳电池的早期光致衰减现象,也是解决太阳电池早期光致衰减的办法之一。E、使用掺磷的N型硅片代替掺硼的P型硅片  使用诰硅片也是解决电池初试光致衰减问题的方法之一但从目前产业化的丝网印刷诰电池工艺来看,诰电池在转换效率和制造成本上还没有优势,一些关键工艺有待解决。...

列数各类高效晶硅太阳能电池

多晶太阳电池的表面由于存在多种晶向,不如(100)晶向的单晶硅那样能经由腐蚀得到理想的绒面结、构,因而对其表面进行各种处理以达减反射的作用也为近期研究目标,其中采用多刀砂轮进行表面刻槽,对10cmX10cm面积硅片的工序时间可降到30秒,具有了一定的实用潜力。多孔硅作为多晶太阳电池的减反射膜具有实用意义,其减反射的作用已能与双重减反射膜相比,所得多晶硅电池的效率也能达到13。4%。...

硅太阳能电池制造工艺流程图

目前,工业化生产等离子干法腐蚀,在辉光放电条件下通过氟和氧交替对硅用途,去除含有扩散层的周边。扩散后清洗的目的是去除扩散过程中形成的磷硅玻璃。6、沉积减反射层:沉积减反射层的目的在于减少表面反射,新增折射率。广泛使用pECVD淀积SiN,由于pECVD淀积SiN时,不光是生长SiN作为减反射膜,同时生成了大量的原子氢,这些氢原子能对多晶硅片具有表面钝化和体钝化的双重用途,可用于大批量生产。...

生产多晶硅片级产业链的工艺流程 看产污环节

              单晶硅硅片  目前晶体硅太阳电池硅片分为单晶硅硅片多晶硅片。  ...


谁引用了GB/T 29055-2012 更多引用





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号