A、改进掺硼P型直拉单晶硅棒的质量 一些单晶棒的质量确实令人担忧,如果不能有效的改变这一状况将严重影响光伏产业的健康发展在掺硼直拉单晶产品中主要存在的问题和改进措施:1由于原始高纯多晶硅料短缺一些拉棒公司就掺人了一些不应该使用的基磷和其它有害杂质含量高的质次的硅料。使用此类材料生产的太阳电池不但效率低,而且早期光致衰减幅度非常大。我们强烈要求不使用低质量的硅料。...
通过改变温度、电解液的锂盐种类等参数,用ICP测量改变参数时电解液中的Co和Fe含量的变化,从而找到减小正极材料在电解液中溶解的关键[1]。值得注意的是,若元素含量较高(例如高于20%),使用ICP检测时误差会大,此时应采用其他方式。(2)二次离子质谱(SIMS)通过发射热电子电离氩气或氧气等离子体轰击样品的表面,探测样品表面溢出的荷电离子或离子团来表征样品成分。...
在OIHPs中,由于自掺杂中施主和受主的形成能相似,故可以实现自掺杂。OIHPs的自掺杂受前驱体的组成和合成参数影响,如MAPbI3薄膜的前驱体中,较多的PbI2使薄膜成为n型掺杂材料;随着MAI含量的变化,热退火可以将p型掺杂材料转换为n型掺杂材料。...
在实验中,低温溶液过程也容易使杂质进入钙钛矿晶体,也可能导致深度缺陷。对于钙钛矿材料中的深度缺陷,可以采用一些研究手段开展较为深入的研究,特别是MAPbI3材料,如热导纳谱、热激电流谱等。图5 电容作为PSC频率的函数4.3 离子迁移及其对掺杂和缺陷的影响如上所述,钙钛矿薄膜的载流子和缺陷属性与固有掺杂有关,而固有掺杂受到薄膜内局部元素分布的影响。...
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