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本设备是按照标准GB/T1553“硅单晶少数载流子寿命测定的高频光电导衰减法”设计制造。高频光电导衰减法在我国半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探器行业已运用了三十多年，积累了丰富的使用经验，经过数次十多个单位巡回测试的考验，证明是一种成熟的测试方法，特别适合于硅块、硅棒的少子体寿命测量；也可对硅片进行测量，给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面，因此制样特别简便。...
产品特点：可测量太阳能多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光，直接对切割面或研磨面进行测量，仪器可按需方提供的有标称值的校准样品调试寿命值。可测量太阳能单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命，表面无需抛光、钝化。液晶屏上直接显示少子寿命值，同时在线显示光电导衰退波形。...
测量方法都包括百平衡载流子的注入和检测两个基本方面。最常用的注入方法是光注入和电注入，而检测非平衡载流子的方法很多，如探测电导率的变化，探测微波反射或透射信号的变化等，这样组合就形成了许多寿命测试方法，如:直流光电导衰减；高频光电导衰减；表面光电压；微波光电导衰减等对于不同的测试方法，测试结果可能会有出入，因为不同的注入方法，厚度或表面状况的不同，探测和算法等也各不相同。...
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