当时,在国外从事研究工作的何力了解到国家面临的难题,毅然放弃国外高薪工作,于1994年进入上海技物所,从事碲镉汞红外探测器材料和器件的相关研究。他将先进的研究成果积极引入国内,成为上海技物所半导体材料研究领域的学术带头人。他面向大面阵红外焦平面探测器发展,创新性地研发了硅基碲镉汞大失配体系分子束外延的理论和技术。...
碲镉汞(MCT)由于其特殊的禁带宽度,成为一种重要的红外探测器半导体材料。其表面复合中心会严重影响探测器性能,为了减少复合中心及保持电学和化学稳定性,表面钝化成为必不可少的工艺步骤。...
InAsSb探测器的出现就可以很好地解决以上问题。接下来我们通过展示与竞争对手的参数对比和与同等类型材料的性能对比,用实际数据进一步说明滨松InAsSb探测器所能发挥的优势长处。滨松InAsSb与同类型材料性能对比相比于碲镉汞HgCdTe材料衬底昂贵、大面积组分不均匀,工作需低温制冷,滨松InAsSb材料均匀性和稳定性更好。...
波段(波长)典型红外光子探测器近红外(0.7~1.1μm)硅光电二极管(Si)短波红外(1~3 μm)铟镓砷(InGaAs)、硫化铅探测器(PbS)中波红外(3~5 μm)锑化铟(InSb)、碲镉汞探测器(HgCdTe)长波红外、热红外(8~14 μm)碲镉汞探测器(HgCdTe)远红外(16 μm以上)量子阱探测器(QWIP)现在主流的军事应用红外探测系统绝大多数是,三个大气窗口中的中波或者长波波段的单波段红外探测器...
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