GB/T 14863-2013
用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
GBT14863-2013, GB14863-2013
2017-12
- 标准号
- GB/T 14863-2013
- 别名
- GBT14863-2013, GB14863-2013
- 发布
- 2013年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 当前最新
- GB/T 14863-2013
- 引用标准
- GB/T 14141 GB/T 14146 GB/T 14847 SEMI MF110-1105
- 被代替标准
- GB/T 14863-1993
- 适用范围
- 本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录A)相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层的净载流子浓度测量。本标准也适用于硅抛光片的净载流子浓度测量。
GB/T 14863-2013相似标准
推荐
MOS器件的发展与面临的挑战（一）
因为MOS器件的阈值电压由衬底材料和栅材料功函数的差异决定的，多晶硅很好地解决了CMOS技术中的NMOS和PMOS阈值电压的调节问题。如图1.13（b）所示，是多晶硅栅的MOS管结构图。1.3Polycide技术多晶硅栅的缺点是电阻率高，虽然可以通过重掺杂来降低它的电阻率，但是它的电阻率依然很高，厚度3K埃米的多晶硅的方块电阻高达36ohm/sq。...
传感器 （检测装置）百科知识（二）：常见种类
通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。霍尔传感器分为线性型霍尔传感器和开关型霍尔传感器两种。1、线性型霍尔传感器由霍尔元件、线性放大器和射极跟随器组成，它输出模拟量。2、开关型霍尔传感器由稳压器、霍尔元件、差分放大器，斯密特触发器和输出级组成，它输出数字量。霍尔电压随磁场强度的变化而变化，磁场越强，电压越高，磁场越弱，电压越低。...
薄膜晶体管的原理简介
当源漏电压很大时,它会对栅电压产生影响,使得栅绝缘层中电场由源端到漏端逐渐减弱,半导体表面反型层 中电子由源端到漏端逐渐减小,沟道电阻随着源漏电压增大而增加.漏电流增加变得缓慢,对应线性区向饱和区过 渡.当源漏电压增到一定程度,漏端反型层厚度减为零,电压在增加,器件进入饱和区.在实际 LCD 生产中,主 要利用 a-Si:H TFT 的开态(大于开启电压)对像素电容快速充电,利用关态来保持像素电容的电压...
多种仪器入选《外商投资产业指导目录(2007年修订)》
新型电子元器件制造：片式元器件、敏感元器件及传感器、频率控制与选择元件、混合集成电路、电力电子器件、光电子器件、新型机电元件、超级电容器和无源集成元件、高密度互连积层板、多层挠性板、刚挠印刷电路板及封装载板 15. 触控系统(触控屏幕、触控组件等) 16....