在生产光电单元时,乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。66. drive-in:推阱,指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。67. dry etch:干刻,指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。68. effective layer thickness:有效层厚,指在外延片制造中,载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。69....
这样就使N长基区发射极侧也形成了高浓度载流子积累,在N长基区中形成与GTO中类似的载流子分布,从而较好地解决了大电流、高耐压的矛盾。目前该器件已达到4.5kV/1kA的水平。11.MOS门控晶闸管MOS门极控制晶闸管充分地利用晶闸管良好的通态特性、优良的开通和关断特性,可望具有优良的自关断动态特性、非常低的通态电压降和耐高压,成为将来在电力装置和电力系统中有发展前途的高压大功率器件。...
这些栅极对沟道载流子浓度的调控幅度一般低于 1013/cm2 量级,且调控是易失的。这些弱点促使物理人更愿意去考虑铁电体作为栅极:外加电压对铁电体进行极化或反转极化方向,撤去电压后铁电体依然具有剩余极化,可实现非易失调控沟道层载流子浓度。典型的此类材料包括 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 - PbTiO3 (PMN - PT) 等。...
漏源击穿电压BVDS·在VGS=0(增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS·ID剧增的原因有下列两个方面: (1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿 (2)漏源极间的穿通击穿·有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后,源区中的多数载流子,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的...
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