GB/T 14863-2013
用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法

Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes


标准号
GB/T 14863-2013
发布日期
2013-12-31
实施日期
2014-08-15
废止日期
2017-12-15
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
发布单位
CN-GB
引用标准
GB/T 14141 GB/T 14146 GB/T 14847 SEMI MF110-1105
被代替标准
GB/T 14863-1993
适用范围
本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录A)相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层的净载流子浓度测量。本标准也适用于硅抛光片的净载流子浓度测量。

GB/T 14863-2013 中可能用到的仪器设备





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