GB/T 13389-2014
掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped, phosphorus-doped, and arsenic-doped silicon


标准号
GB/T 13389-2014
发布日期
2014-12-31
实施日期
2015-09-01
废止日期
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
发布单位
CN-GB
适用范围
本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度之间的换算关系,该换算关系也适用于掺锑硅单晶,还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。本标准适用于掺硼浓度1014 cm-3~1×1020 cm-3,掺磷浓度3×1013 cm-3~1×1020 cm-3,掺砷浓度1019 cm-3~6×1020 cm-3。对掺硼、掺磷的硅单晶掺杂剂浓度可扩展到1012 cm-3。本标准也可用于在23 ℃下从硅单晶电阻率到载流子浓度的换算,但不包括对砷掺杂剂的载流子浓度换算,或任何其他载流子浓度的换算。

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