针对直拉单晶硅中杂质元素以及氮氧复合体的测量,布鲁克CryoSAS全自动、高灵敏度工业低温硅质量控制分析系统,通过测试位于中/远红外波段间隙氧(1136.3cm-1, 1205.6cm-1)[7],代位碳(607.5cm-1)[6,7],III-V族元素[4,5]以及氮氧复合体吸收谱带(249.8,240.4cm-1[1,2]),通过直接或间接计算获得相应元素含量值。...
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会,关于硅氧硅的红外吸收峰的标准 GB/T 1557-2018 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 国家质检总局,关于硅氧硅的红外吸收峰的标准 GB/T 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1557-1989 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 德国标准化学会,关于硅氧硅的红外吸收峰的标准 DIN 50438...
碳在硅中的固态溶解度可达4×1018/cm3,主要来源于多晶硅。碳在硅中呈替代位置,是中性等电子杂质,但易与氧和缺陷构成复合体,诱生其他缺陷,是硅中的有害杂质,当碳浓度很高时会导致P-N结过早击穿。因此,有效控制硅晶体中氧、碳的含量是非常重要的。红外吸收光谱法由于制样简单、测试快捷准确,成为商业生产硅片中氧、碳含量测定的特征技术。...
适用于电子器件用金铜及金镍钎料中铅、锌、磷的测定,SJ/T 11030-1996、SJ/T 11031-1996、SJ/T 11032-1996SJ/T 11552-2015以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量本标准规定了以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量的方法。 ...
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