测量范围宽广测试仪可直接测量: a、研磨或切割面:电阻率≥0.5Ω?cm的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命,切割片的少子相对寿命。 b、抛光面:电阻率在0.5~0.01Ω?cm范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。...
绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用最广,80%的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的,其中硅单晶的最大直径已达300毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法,用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法,用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。...
测量范围宽广测试仪可直接测量: a、研磨或切割面:电阻率≥0.5Ω?cm的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命,切割片的少子相对寿命。 b、抛光面:电阻率在0.5~0.01Ω?cm范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。...
测量范围均为0-500μm.Elcometer 224表面粗糙度仪使用,正确的操作不仅能够达到更为的测量,还能够对仪器产生保护,Elcometer 224表面粗糙度仪均使用碳化钨针尖,按下仪器开关键并保持到屏幕直接显示“Elcometer”图标后,仪器既开启。测试时,将探头垂直放在被测表面,屏幕即时可数字显示测试数值。...
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