GB/T 11073-1989
硅片径向电阻率变化的测量方法

Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices

说明：

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标准号
GB/T 11073-1989
发布日期
1989年03月31日
实施日期
1990年02月01日
废止日期
2008-02-01
中国标准分类号
H21
国际标准分类号
29.040.30
发布单位
CN-GB
代替标准
GB/T 11073-2007
适用范围
本标准规定了用直排四探针方法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。 本标准适用于硅片厚度小于探针平均间距，直径大于15mm，电阻率为1×10-3～1×103Ω.Cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。

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