GB/T 14141-1993
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定
Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
说明：
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- 标准号
- GB/T 14141-1993
- 发布日期
- 1993年02月06日
- 实施日期
- 1993年10月01日
- 废止日期
- 2010-06-01
- 中国标准分类号
- H21
- 国际标准分类号
- 29.040.30
- 发布单位
- CN-GB
- 代替标准
- GB/T 14141-2009
- 适用范围
- 本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径大于10.0mm用外延、扩散、离子注入到硅圆片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。对于厚度为0.2～3μm的薄层，测量范围为250～5000Ω；对于厚度不小于3μm的薄层，薄层电阻的测量下限可达10Ω。