GB/T 14141-1993
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定

Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array


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GB/T 14141-1993



标准号
GB/T 14141-1993
发布日期
1993-02-06
实施日期
1993-10-01
废止日期
2010-06-01
中国标准分类号
H21
国际标准分类号
29.040.30
发布单位
CN-GB
代替标准
GB/T 14141-2009
适用范围
本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径大于10.0mm用外延、扩散、离子注入到硅圆片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。对于厚度为0.2~3μm的薄层,测量范围为250~5000Ω;对于厚度不小于3μm的薄层,薄层电阻的测量下限可达10Ω。

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