GB/T 14141-1993
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定

Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array

GBT14141-1993, GB14141-1993

2010-06

标准号
GB/T 14141-1993
别名
GBT14141-1993, GB14141-1993
发布
1993年
发布单位
国家质检总局
替代标准
GB/T 14141-2009
当前最新
GB/T 14141-2009
 
 
适用范围
本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径大于10.0mm用外延、扩散、离子注入到硅圆片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。对于厚度为0.2~3μm的薄层,测量范围为250~5000Ω;对于厚度不小于3μm的薄层,薄层电阻的测量下限可达10Ω。

GB/T 14141-1993相似标准


推荐

半导体行业都有哪些设备

2、 气相外延炉气相外延炉主要是为气相外延生长提供特定工艺环境,实现在单晶上生长与单晶晶相具有对应关系薄层晶体。外延生长是指在单晶衬底(基片)上生长一有一定要求、与衬底晶向相同单晶,犹如原来晶体向外延伸了一段,为了制造高频大功率器件,需要减小集电极串联电阻,又要求材料能耐高压大电流,因此需要在低阻值衬底上生长一高阻外延。...

芯片制作工艺流程

此时,用外延生长法外延杂质浓度低(约10 15 cm-3)供形成单晶、衬底则为高浓度基片,以降低电阻,达到基极电位稳定目的。LPE可以在平面或非平面衬底生长、能获得十分完善结构。...

高温四探针电阻率测试系统

二、适用行业:广泛用于:生产企业、高等院校、科研部门对导电陶瓷、、锗单晶(棒料、晶片)电阻率、测定外延扩散离子注入方块电阻以及测量导电玻璃(ITO)其它导电薄膜方块电阻电阻电导率数据.三、功能介绍:液晶显示,无需人工计算,并带有温度补偿功能,电阻率单位自动选择,仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程,无需人工多次重复设置。...

关于四探针电阻率测试仪使用

四探针测试仪是运用四探针测量原理多用途综合测量装置,可以测量、锗单晶电阻外延扩散离子注入方块电阻以及测量导电玻璃其他导电薄膜方块电阻,主要用于评估半导体薄膜薄片导电性能。广泛用于半导体厂家、太阳能行业,还能满足科研单位精密研究。 ...


GB/T 14141-1993 中可能用到的仪器设备


谁引用了GB/T 14141-1993 更多引用





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号