GB/T 14142-1993
硅外延层晶体完整性检查方法
Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
- 标准号
- GB/T 14142-1993
- 发布日期
- 1993年02月06日
- 实施日期
- 1993年10月01日
- 废止日期
- 无
- 中国标准分类号
- H26
- 国际标准分类号
- 29.040.30
- 发布单位
- CN-GB
- 代替标准
- GB/T 14142-2017
- 适用范围
- 本标准规定了用化学腐蚀显示，并用金相显微镜检验硅外延层晶体缺陷的方法 本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度测量。硅外延层厚度应大于2μm测量范围为010000cm2。
GB/T 14142-1993系列标准
GB/T 14137-1993 光纤机械式固定接头插入损耗测试方法
GB/T 14138-1993 架空光缆通信系统进网要求
GB/T 14139-2019 硅外延片
GB/T 14140-2009 硅片直径测量方法
GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法
GB/T 14146-2021 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法
GB/T 14145-1993 硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法
GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
GB/T 14143-1993 300-900μm硅片间隙氧含量红外吸收测量方法