目前大尺寸硅片已成为硅片市场最主流的产品。硅片生产中在拉晶过程中,需要解决氧含量及径向均匀性、杂质的控制、缺陷控制、氧沉淀控制、电阻值定量、掺杂及径向均匀性等众多问题,同时对检测表征等保障技术也提出了更高的要求。直拉晶体硅中掺氮可用来调控原生氧沉淀和空洞型缺陷,从而提高硅晶体的质量,已经在产业界广泛应用,除了间隙氧、代位碳、III-V族元素检测以外,氮的测量也是硅材料界的一个热点课题。...
关键词: 红外光谱法 单晶硅 碳氧含量 定量测定 · 原理利用硅中代位碳原子和间隙氧原子分别在波数607.2cm -1和1107cm -1 有特征吸收,根据吸收峰的吸收系数来确定代位碳原子浓度和间隙氧原子的浓度。 ...
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会,关于硅氧硅的红外吸收峰的标准 GB/T 1557-2018 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 国家质检总局,关于硅氧硅的红外吸收峰的标准 GB/T 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1557-1989 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 德国标准化学会,关于硅氧硅的红外吸收峰的标准 DIN 50438...
碳在硅中呈替代位置,是中性等电子杂质,但易与氧和缺陷构成复合体,诱生其他缺陷,是硅中的有害杂质,当碳浓度很高时会导致P-N结过早击穿。因此,有效控制硅晶体中氧、碳的含量是非常重要的。红外吸收光谱法由于制样简单、测试快捷准确,成为商业生产硅片中氧、碳含量测定的特征技术。但是对于重掺硅衬底中氧、碳浓度的测试,红外吸收光谱法(FTIR)就无能为力,因为这种衬底中的自由载流子使红外吸收峰变模糊。...
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