YS/T 1167-2016
硅单晶腐蚀片

Monocrystalline silicon etched wafers


 

 

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标准号
YS/T 1167-2016
发布日期
2016-07-11
实施日期
2017-01-01
废止日期
中国标准分类号
H82
国际标准分类号
29.045
发布单位
CN-YS
引用标准
GB/T 1550 GB/T 1555 GB/T 2828.1 GB/T 6616 GB/T 6618 GB/T 6620 GB/T 11073 GB/T 12962 GB/T 12965 GB/T 13387 GB/T 13388 GB/T 14140 GB/T 14264 GB/T 14844 GB/T 20503 GB/T 26067 GB/T 29505 GB/T 30453 YS/T 26 YS/T 28
适用范围
本标准规定了硅单晶腐蚀片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括区熔中子嬗变和气相掺杂)制备的硅单晶研磨片经化学腐蚀液去除表面损伤层后制备的酸腐蚀片和碱腐蚀片(以下简称腐蚀片)。产品主要用于制作晶体管、整流管、特大功率晶闸管、光电器件等半导体元器件或进一步加工成硅抛光片。




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