GB/T 14847-1993
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
Test method for thickness of lightly doped silicon eqitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
GB/T 14847-1993 中，可能用到以下仪器设备
- 标准号
- GB/T 14847-1993
- 发布日期
- 1993年12月30日
- 实施日期
- 1994年09月01日
- 废止日期
- 2011-10-01
- 中国标准分类号
- L40
- 国际标准分类号
- 29.040.30
- 发布单位
- CN-GB
- 代替标准
- GB/T 14847-2010
- 适用范围
- 本标准规定了重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。 本标准适用于衬底室温电阻率小于0.02Ω·cm和外延层室温电阻率大于0.1Ω·cm且外延层厚度大于2μm的硅外延层厚度的测量。