GB/T 14863-1993
用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法已作废

Standard test method for net carrier density in silicon eqitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes

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标准号

GB/T 14863-1993

发布日期

1993年12月30日

实施日期

1994年10月01日

废止日期

2014-08-15

中国标准分类号

L41

国际标准分类号

29.040.30

发布单位

CN-GB

代替标准

GB/T 14863-2013

适用范围

本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流了浓度的原理、仪器与材料、样品制备、测量步骤和数据处理。 本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值（见附录B）的相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层，也适用于体材料。

GB/T 14863-1993系列标准