GB/T 14863-1993
用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法

Standard test method for net carrier density in silicon eqitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes


 

 

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标准号
GB/T 14863-1993
发布日期
1993-12-30
实施日期
1994-10-01
废止日期
2014-08-15
中国标准分类号
L41
国际标准分类号
29.040.30
发布单位
CN-GB
代替标准
GB/T 14863-2013
适用范围
本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流了浓度的原理、仪器与材料、样品制备、测量步骤和数据处理。 本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录B)的相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层,也适用于体材料。




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