本次大会发布了这9项标准：《半导体光电子器件功率发光二极管空白详细规范》、《半导体发光二极管测试方法》、《氮化镓基发光二极管用蓝宝石衬底片》、《半导体发光二极管用荧光粉》、《功率半导体发光二极管芯片技术规范》、《半导体发光二极管芯片测试方法》、《半导体光电子器件小功率发光二极管空白详细规范》、《半导体发光二极管产品系列型谱》以及《LED照明名词术语》等。...
与可见光 LED相比，目前深紫外LED的发光效率和光输出功率普遍较低。中国科学院半导体研究所研究员张韵认为，要从根本上提高氮化铝镓基深紫外LED发光效率低和出光功率低两大性能瓶颈，重点要研究如何突破低位错密度的AlN和AlGaN材料核心外延与掺杂技术，设计出高量子效率和高光提取效率的LED器件结构，以及开发高可靠性的芯片制备工艺和光珠封装技术。 ...
GaN LED芯片的发光原理及结构示意图2014年10月7日，赤崎勇、天野浩和中村修二（名字从左到右分别对应）因发明“高效蓝色发光二极管”而获得2014年诺贝尔物理学奖。第三代半导体的光致发光光谱测量光致发光光谱定义为当一束光子能量足够高（大于半导体材料的禁带宽度Eg）的激光入射到半导体材料上，会将价带的电子激发到导带，从而在该材料中产生大量的电子空穴对，形成非平衡载流子。...
存封集成电路封装贴片项目签约由东莞市存封电子科技有限公司投资，总投资10亿元，从事中高端LED发光二极管研发、封装；以及存储类集成电路，电源类芯片的封装与测试。漫极半导体TO系列封装及半导体模具智能制造项目签约重庆梁平高新区与漫极自动化设备（苏州）有限公司签约半导体TO系列封装及半导体模具智能制造项目，投资10.8亿元。该项目分3期建设。...
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