GB/T 36477-2018
半导体集成电路 快闪存储器测试方法
Semiconductor integrated circuit.Measuring methods for flash memory
GBT36477-2018, GB36477-2018
- 标准号
- GB/T 36477-2018
- 别名
- GBT36477-2018, GB36477-2018
- 发布
- 2018年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 当前最新
- GB/T 36477-2018
- 引用标准
- GB/T 17574-1998
- 适用范围
- 本标准规定了半导体集成电路快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能测试的基本方法。 本标准适用于半导体集成电路领域中快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能的测试。
GB/T 36477-2018相似标准
推荐
中国工程院外籍院士施敏去世
他于1967年在美国与姜大元博士共同发现浮栅存储（FGM）效应，是广泛应用的快闪存储器之核心发明。在半导体设备，尤其是半导体接触，微波器件和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术的研发中，施敏的贡献具有奠基性和开创性的意义。尤其是他参与研发的非易失性半导体存储器（NVSM），影响深远，随之诞生了包括闪速储存器和电可擦只读储存器（EEPROM）在内的大量储存设备。...
院企合作突破相变存储器关键技术
我国作为消费性电子产品最大产销国，仅2016年度，存储器芯片进口近4700亿元，国产芯片的自给率不足10%，发展自主新型半导体存储器的需求迫在眉睫。PCRAM具有非挥发性、循环寿命长、写入速度快、稳定性好、功耗低和可嵌入功能强等优点，被业界认为是下一代非挥发存储技术的最佳解决方案之一。 2003年起，微系统所研究员宋志棠在国内率先开展PCRAM研发。...
半导体器件有哪些分类
1、DRAM(Dynamic Random Access Memory:动态随机存取存储器)2、SRAM(Static Random Access Memory:静态随机存取储器)3、快闪式存储器(Flash Memory)4、掩模ROM(mask Memory)5、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory:强介电质存储器)6、MRAM(Magnetic Random...
关于2024上海国际光刻胶展览会开展通知|
展示内容：1、集成电路产品类： 模拟集成电路、数/模混合集成电路，包括微处理器、存储器、FPGA、分立器件、光电器件、功率器件、传感器件等主流产品和技术。2、集成电路制造类： 芯片制造、封装测试、半导体专用设备和材料。3、集成电路应用类： 人工智能、物联网、智慧城市、智能家居、智能终端、汽车电子、LED、健康医等智能化应用类。...