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二次离子质谱+
本专题涉及二次离子质谱+的标准有72条。
国际标准分类中，二次离子质谱+涉及到分析化学、金属材料试验、半导体材料、半导体分立器件。
在中国标准分类中，二次离子质谱+涉及到基础标准与通用方法、半金属及半导体材料分析方法、元素半导体材料、光学计量仪器、半金属与半导体材料综合、、电子光学与其他物理光学仪器。
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于二次离子质谱+的标准
- GB/T 40129-2021 表面化学分析 二次离子质谱 飞行时间二次离子质谱仪质量标校准
- GB/T 39144-2020 氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质谱法
- GB/T 40109-2021 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法
- GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法
英国标准学会，关于二次离子质谱+的标准
- BS ISO 13084:2011 表面化学分析.二次离子质谱.飞行时间二次离子质谱用质量标度的校准
- BS ISO 13084:2018 表面化学分析 二次离子质谱分析 飞行时间二次离子质谱仪的质量标度校准
- BS ISO 20411:2018 表面化学分析 二次离子质谱分析 单离子计数动态二次离子质谱饱和强度校正方法
- BS ISO 22048:2004 表面化学分析 静态二次离子质谱的信息格式
- BS ISO 12406:2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法
- BS ISO 14237:2010 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
- BS ISO 18114:2021 表面化学分析 二次离子质谱 离子注入参考材料的相对灵敏度因子的测定
- 20/30409889 DC BS ISO 18114 表面化学分析 二次离子质谱 离子注入参考材料的相对灵敏度因子的测定
- BS ISO 17862:2022 表面化学分析 二次离子质谱分析 单离子计数飞行时间质量分析仪中强度标度的线性
- 20/30409963 DC BS ISO 17862 表面化学分析 二次离子质谱分析 单离子计数飞行时间质量分析仪中强度标度的线性
- BS ISO 22415:2019 表面化学分析 二次离子质谱分析 有机材料氩簇溅射深度剖析中产量体积的测定方法
国际标准化组织，关于二次离子质谱+的标准
- ISO 13084:2018 表面化学分析 - 二次离子质谱法 - 用于飞行时间二次离子质谱仪的质谱的校准
- ISO 13084:2011 表面化学分析.二次离子质谱分析法.飞行时间二次离子质谱仪用质量标度的校准
- ISO 22048:2004 表面化学分析——静态二次离子质谱信息格式
- ISO 12406:2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法
- ISO 17560:2014 表面化学分析 - 二次离子质谱法 - 硅在硅中深度分析的方法
- ISO/TS 22933:2022 表面化学分析.二次离子质谱法.模拟离子质谱中质量分辨率的测量方法
- ISO 14237:2010 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
- ISO 14237:2000 表面化学分析 二次离子质谱 用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
- ISO 20411:2018 表面化学分析.二次离子质谱法.单离子计数动态二次离子光谱法中饱和强度的校正方法
- ISO 178:1975 表面化学分析.二次离子质谱法.单离子计数飞行时间质量分析仪中强度标度的线性
- ISO 17862:2013 表面化学分析——二次离子质谱法——单离子计数飞行时间质量分析仪中强度标度的线性
- ISO 178:2019 表面化学分析.二次离子质谱法.单离子计数飞行时间质量分析仪中强度标度的线性
- ISO 17862:2022 表面化学分析.二次离子质谱法.单离子计数飞行时间质量分析仪中强度标度的线性
- ISO 22415:2019 表面化学分析.二次离子质谱法.有机材料氩团簇溅射深度剖面测定屈服体积的方法
日本工业标准调查会，关于二次离子质谱+的标准
- JIS K 0153:2015 表面化学分析. 二次离子质谱法. 静态二次离子质谱法中相对强度范围的重复性和稳定性
- JIS K 0157:2021 表面化学分析. 二次离子质谱法. 渡越时间二次离子质谱仪的质量标度的校准
- JIS K 0158:2021 表面化学分析. 二次离子质谱法. 单离子计数动态二次离子质谱法中饱和强度的校正方法
- JIS K 0168:2011 表面化学分析.静态二次离子质谱法用信息格式
- JIS K 0164:2023 表面化学分析二次离子质谱硅中硼深度分析方法
- JIS K 0143:2023 表面化学分析-二次离子质谱-使用均匀掺杂材料测定硅中硼原子浓度
- JIS K 0156:2018 表面化学分析-二次离子质谱法-使用多δ层参考材料的硅深度校准方法
- JIS K 0155:2018 表面化学分析 二次离子质谱法 单离子计数时间飞行质量分析仪中强度刻度的线性度
- JIS K 0169:2012 表面化学分析.二次离子质谱(SIMS).带多重亚铅层对照物的深度分辨率参数估算方法
法国标准化协会，关于二次离子质谱+的标准
- NF ISO 23830:2009 表面化学分析 二次离子质谱 二次离子静态质谱中相对强度标度的重复性和稳定性
- NF X21-070*NF ISO 14237:2010 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度.
- NF ISO 17560:2006 表面化学分析 二次离子质谱分析 通过厚度分析确定硅中硼的剂量
- NF ISO 14237:2010 表面化学分析 二次离子质谱分析 使用均匀掺杂材料的硅中硼原子的剂量
- NF ISO 23812:2009 表面化学分析 二次离子质谱 使用多三角层状参比材料的硅深度校准方法
国家质检总局，关于二次离子质谱+的标准
- GB/T 42263-2022 硅单晶中氮含量的测定 二次离子质谱法
- GB/T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法
- GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
- GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
- GB/T 32281-2015 太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定 二次离子质谱法
- GB/T 25186-2010 表面化学分析.二次离子质谱.由离子注入参考物质确定相对灵敏度因子
- GB/T 42274-2022 氮化铝材料中痕量元素（镁、镓）含量及分布的测定 二次离子质谱法
- GB/T 29851-2013 光伏电池用硅材料中B、Al受主杂质含量的二次离子质谱测量方法
- GB/T 20176-2006 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
- GB/T 29852-2013 光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法
- GB/T 22572-2008 表面化学分析 二次离子质谱 用多δ层参考物质评估深度分辨参数的方法
行业标准-电子，关于二次离子质谱+的标准
- SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
- SJ/T 11498-2015 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法
美国材料与试验协会，关于二次离子质谱+的标准
- ASTM E1162-87(2001) 二次离子质谱法(SIMS)中报告溅射深度截面数据
- ASTM E1162-87(1996) 二次离子质谱法(SIMS)中报告溅射深度截面数据
- ASTM E1504-11(2019) 二次离子质谱法（SIMS）中质谱数据报告的标准实施规程
- ASTM E1635-95(2000) 二次离子质谱（SIMS）中成像数据报告的标准实施规程
- ASTM E1635-06(2019) 二次离子质谱（SIMS）中成像数据报告的标准实施规程
- ASTM E2695-09 用飞行时间二次离子质谱法说明质谱数据获取的标准指南
- ASTM E1162-11(2019) 二次离子质谱法（SIMS）中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程
韩国科技标准局，关于二次离子质谱+的标准
- KS D ISO 22048-2005(2020) 表面化学分析 - 静态二次离子质谱的信息格式
- KS D ISO 18114-2005(2020) 表面化学分析二次离子质谱法离子注入标准物质相对灵敏度因子的测定
- KS D ISO 20341-2005(2020) 表面化学分析二次离子质谱法用多δ层标准物质估算深度分辨参数的方法
未注明发布机构，关于二次离子质谱+的标准
- BS ISO 22048:2004(2005) 表面化学分析静态二次离子质谱的信息格式
- BS ISO 20341:2003(2010) 表面化学分析 二次离子质谱 多δ层参考材料估计深度分辨率参数的方法
KR-KS，关于二次离子质谱+的标准
- KS D ISO 17560-2003(2023) 表面化学分析-二次离子质谱分析-硅内硼深度分布测定场法
- KS D ISO 14237-2003(2023) 表面下学分析-二次离子质谱分析-硅内均匀添加硼原子浓度的测定方法
中国团体标准，关于二次离子质谱+的标准
- T/CASAS 010-2019 氮化镓材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
- T/CASAS 009-2019 半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
