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半导体 隙

本专题涉及半导体 隙的标准有8条。

国际标准分类中,半导体 隙涉及到表面处理和镀涂、半导体分立器件、辐射测量、集成电路、微电子学。

在中国标准分类中,半导体 隙涉及到半导体分立器件综合、通用核仪器、辐射防护仪器、半导体集成电路。


法国标准化协会,关于半导体 隙的标准

国际电工委员会,关于半导体 隙的标准

英国标准学会,关于半导体 隙的标准

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.,关于半导体 隙的标准

  • IEEE N42.31-2003 宽带隙半导体电离辐射探测器分辨率和效率的测量程序

美国国家标准学会,关于半导体 隙的标准

  • ANSI N42.31-2003 离子辐射的宽能带隙半导体探测器的分辨和功效的测量规程

美国电气电子工程师学会,关于半导体 隙的标准

  • IEEE/ANSI N42.31-2003 电离辐射的宽能隙半导体探测器的分辨率和能效用测量规程用美国国家标准

德国标准化学会,关于半导体 隙的标准

  • DIN EN 62418:2010 半导体器件.金属化应力空隙试验(IEC 62418-2010);德文版本EN 62418-2010

行业标准-电子,关于半导体 隙的标准

  • SJ/T 10255-1991 电子元器件详细规范.半导体集成电路CW1403型精密带隙电压基准(可供认证用)




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