EN

RU

ES

载流子

本专题涉及载流子的标准有58条。

国际标准分类中,载流子涉及到金属材料试验、半导体分立器件、半导体材料、有色金属、无机化学、绝缘流体、核能工程、太阳能工程、分析化学。

在中国标准分类中,载流子涉及到金属物理性能试验方法、半金属及半导体材料分析方法、元素半导体材料、半金属与半导体材料综合、电子技术专用材料、金属理化性能试验方法、、半金属、稀有分散金属及其合金、化合物半导体材料、半导体三极管、半导体分立器件综合、半导体二极管、太阳能。


国家质检总局,关于载流子的标准

  • GB/T 8757-1988 砷化镓载流子浓度等离子共振测量方法
  • GB/T 8757-2006 砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法
  • GB/T 36705-2018 氮化镓衬底片载流子浓度的测试 拉曼光谱法
  • GB/T 11068-1989 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法
  • GB/T 14146-1993 硅外延层载流子浓度测定和探针电容--电压法
  • GB/T 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法
  • GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定.汞探针电容-电压法
  • GB 11068-1989 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法
  • GB/T 1553-1997 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
  • GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
  • GB/T 1553-2023 硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法
  • GB/T 26068-2010 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
  • GB/T 42907-2023 硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的测试 非接触涡流感应法
  • GB/T 26068-2018 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法
  • GB/T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
  • GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法

法国标准化协会,关于载流子的标准

丹麦标准化协会,关于载流子的标准

ES-UNE,关于载流子的标准

德国标准化学会,关于载流子的标准

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会,关于载流子的标准

日本工业标准调查会,关于载流子的标准

行业标准-电子,关于载流子的标准

  • SJ 2757-1987 重掺半导体载流子浓度的红外反射测试方法
  • SJ 3248-1989 重掺砷化镓和磷化铟载流子浓度的红外反射测试方法
  • SJ 3244.1-1989 砷化镓和磷化铟材料霍尔迁移率和载流子浓度的测量方法
  • SJ 3244.4-1989 砷化镓和磷化铟材料载流子浓度剖面分布的测试方法.电化学电压电容法

立陶宛标准局,关于载流子的标准

  • LST EN 62416-2010 半导体器件 MOS 晶体管的热载流子测试(IEC 62416:2010)

韩国科技标准局,关于载流子的标准

新疆维吾尔自治区标准,关于载流子的标准

美国材料与试验协会,关于载流子的标准

  • ASTM F28-91(1997) 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
  • ASTM F1393-92(1997) 用带汞探针的铣床回授靠模工具机测量器测定硅中净载流子密度的测试方法
  • ASTM F1392-00 用带汞探针的容量-电压测量法测定硅晶片中净载流子密度分布的标准试验方法
  • ASTM F398-92(1997) 通过测量等离子体共振最小波数或波长测定半导体中多数载流子浓度的标准试验方法
  • ASTM F391-96 用稳态表面光电压测量法测定非本征半导体中少数载流子扩散长度的标准试验方法

中国团体标准,关于载流子的标准

RU-GOST R,关于载流子的标准

  • GOST 18986.7-1973 半导体二极管.不平衡载流子存在有效时间的测定方法
  • GOST 27235-1987 放射性制剂 回旋加速器中生产的无载流子 57 氯化钴 要求

英国标准学会,关于载流子的标准

  • BS EN 62416:2010 半导体器件.金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验
  • PD IEC TS 62607-5-3:2020 纳米制造 关键控制特性 薄膜有机/纳米电子器件 载流子浓度的测量

工业和信息化部,关于载流子的标准

  • YS/T 679-2018 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法

CZ-CSN,关于载流子的标准

  • CSN 40 4120-1986 放射性物质.[57Co]氯化钴(II),回旋加速器产生的,无载流子的技术要求

行业标准-有色金属,关于载流子的标准

  • YS/T 679-2008 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法

国际电工委员会,关于载流子的标准

  • IEC TS 62607-6-16:2022 纳米制造.关键控制特性.第6-16部分:二维材料.载流子浓度:场效应晶体管法
  • IEC TS 62607-5-3:2020 纳米制造关键控制特性第5-3部分:薄膜有机/纳米电子器件电荷载流子浓度的测量

IEC - International Electrotechnical Commission,关于载流子的标准

  • TS 62607-5-1-2014 纳米制造“关键控制特性”第5-1部分:薄膜有机阳极电子器件“载流子传输测量(1.0版)

国际标准化组织,关于载流子的标准

  • ISO/WD TR 23683:2023 表面化学分析 扫描探针显微镜 使用电扫描探针显微镜对半导体器件中载流子浓度进行实验量化的指南




Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号