氧化物 态

本专题涉及氧化物 态的标准有214条。

国际标准分类中,氧化物 态涉及到集成电路、微电子学、半导体分立器件、电学、磁学、电和磁的测量、光纤通信、无线通信、阀门。

在中国标准分类中,氧化物 态涉及到半导体三极管、半导体集成电路、计算机应用、半导体分立器件综合、电子测量与仪器综合、光通信设备、广播、电视发送与接收设备、阀门。


美国材料与试验协会,关于氧化物 态的标准

  • ASTM F996-2010 利用亚阈值安伏特性分离由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移的标准试验方法
  • ASTM F996-1998 利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法
  • ASTM F996-1998(2003) 利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法

美国国防后勤局,关于氧化物 态的标准

  • DLA SMD-5962-95614 REV A-2008 高级双极数字单硅片微电路,由互补金属氧化物半导体结构组成,带三态输出的18比特总线收发器,采用晶体管-晶体管逻辑兼容输入
  • DLA SMD-5962-96862 REV A-2008 高级双极数字单硅片微电路,由高速互补金属氧化物半导体结构组成,带三态输出的四倍总线缓冲闸
  • DLA SMD-5962-96868 REV A-2008 高级双极数字单硅片微电路,由高速互补金属氧化物半导体结构组成,带三态输出的四倍总线缓冲闸
  • DLA SMD-5962-92272 REV D-2008 高级双极数字单硅片微电路,由高速互补金属氧化物半导体结构组成,带配备有串联电阻器的16比特三态输出收发器,采用晶体管-晶体管逻辑兼容输入及限定电压摆幅输出
  • DLA SMD-5962-94615 REV A-2007 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的寄存的总线收发器的扫描测试设置,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92196 REV A-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的8位双向收发器/锁存器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87760 REV H-2007 硅单片TTL输入兼容八进制缓冲器/线路驱动器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
  • DLA SMD-5962-87552 REV J-2007 硅单块 带三态输出的八进制缓冲器或行驱动线,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-94618 REV A-2007 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的八位总线收发器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-93186 REV B-2007 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位总线收发器的扫描测试设置,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-94616 REV A-2007 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的总线收发器及寄存器的扫描测试设置,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87663 REV F-2007 硅单块 带晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入和三态输出的八进制接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-93147 REV A-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的八位边缘触发的D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-94586 REV A-2007 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位总线收发器及寄存器的扫描测试设置,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92189 REV B-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的8位D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92190 REV B-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的8位D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87758 REV G-2007 硅单片八进制双向收发器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
  • DLA SMD-5962-06240 REV A-2007 硅单片装有TTL可兼容输入输出,有正相三态输出的奇偶发生器及奇偶校验器,耐辐射高级氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-06239 REV A-2007 硅单片三态输出平行差探测电路/校正电路,高级氧化物半导体耐辐射数字微型电路
  • DLA SMD-5962-06238 REV A-2007 硅单片三态输出8比特移位寄存器/存储记录器,高级氧化物半导体耐辐射数字微型电路
  • DLA SMD-5962-93149 REV C-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的八位边缘触发的D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-06244 REV A-2007 硅单片三态输出TTL兼容输入输出,16比特双向收发器,耐辐射高级氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-06243 REV A-2007 硅单片三态输出TTL兼容输入输出,16比特缓冲/线驱动,耐辐射高级氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-06245 REV A-2007 硅单片三态输出TTL兼容输入输出,16比特D型双稳态多谐振荡器触发器,耐辐射高级氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-06234-2007 硅单片三态输出施密特16比特双向多用记录收发器,高级氧化物半导体耐辐射数字微型电路 多用
  • DLA SMD-5962-87555 REV F-2007 硅单块 带三态输出八进制D型透明止动销,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92186 REV B-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有正向三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92177 REV B-2007 硅单片,装有三态输出的8位双向收发器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-05212 REV B-2007 硅单片三态输出的串联输出电阻器,装有总线状态保持16比特双稳态触发电路,低压氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-05213 REV B-2007 硅单片三态输出的串联输出电阻器,装有总线状态维持16比特总线收发器,低压氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-05210 REV B-2007 硅单片三态输出的串联输出电阻器,装有总线状态维持16比特总线缓冲器,低压氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-05211 REV B-2007 硅单片三态输出的串联输出电阻器,装有总线状态维持16比特D型锁存器,低压氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-93141 REV A-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有正向三态输出及奇偶发生器/校验器的9位可锁存收发器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-91610 REV B-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的九比特D缓冲器,正极边缘触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-91609 REV B-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,三态输出,带同步重设置的八比特诊断式自动记录器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92188 REV B-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的8位收发器D型锁存器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92018 REV A-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线驱动器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92185 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入,装有正向三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92184 REV B-2006 硅单片,TTL兼容输入,装有反向三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92179 REV A-2006 硅单片,装有三态输出的8位D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90516 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位D型边缘触发双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92178 REV A-2006 硅单片,装有三态输出的8位双向收发器D型锁存器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-91607 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,三态输出,带同步重设置和一般输入输出插脚的八比特万能转换或储存自动记录器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-91604 REV A-2006 硅单块 带三态输出的四列2输入多路调制器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-89513 REV B-2006 硅单片TTL兼容三态输出八进制D调节快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
  • DLA SMD-5962-91606 REV A-2006 硅单块 带三态输出的10比特D缓冲器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-88639 REV C-2006 硅单片TTL兼容八进制透明锁存三态快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
  • DLA SMD-5962-87628 REV D-2006 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的八进制不可倒转的D型双稳态多谐振荡器触发电路,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-91555 REV B-2006 硅单块 带三态输入的八进制记名收发器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-91553 REV A-2006 硅单块 带三态输出的八进制总线接收器和自动记录器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90940 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90870 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制记名的无线电收发机,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90752 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-89658 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位D型双稳态多谐振荡器触发器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-89766 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输入的正向八位缓冲/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90750 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90749 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带非倒转三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90743 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90742 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90748 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90514 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90625 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位缓冲器及线路驱动器,氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87809 REV B-2006 硅单片八进制数反转总线收发器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
  • DLA SMD-5962-90706 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入非倒转六进制缓冲器或行驱动线,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90651 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的四重缓冲器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92237 REV C-2006 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-89742 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位正边缘触发的D型双稳态多谐振荡器触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-89436 REV A-2006 硅单片TTL兼容8位普遍移位寄存器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
  • DLA SMD-5962-92199 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入,装有正向三态输出的十位缓冲器/线路驱动器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90906 REV A-2006 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的双1选4数据收集器和多路调制器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92194 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的8位双向收发器D型锁存器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-89740 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的反向八位总线收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92176 REV B-2006 硅单片,装有正向三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-88682 REV B-2006 硅单片双程四线到1线数据选择器/多工器与三态输出快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
  • DLA SMD-5962-92180 REV A-2006 硅单片,装有三态输出的D型锁存器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-85125 REV C-2006 硅单块 带三态输出的八输入数据选择器和多路复用器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入10比特总线或金属氧化半导体主储存器驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90746 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制D型易被识破的止动销,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92200 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的10位透明锁存器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-89705 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的双重2输入多路复用器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-89603 REV A-2005 硅单片,装有三态输出寄存器的8输入二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87550 REV E-2005 硅单块 带三态输出的八进制缓冲器或行驱动线,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-84155 REV E-2005 硅单片装有三态输出的八位总线接收器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-88651 REV A-2005 硅单片TTL兼容输入八进制透明锁存器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
  • DLA SMD-5962-87761 REV A-2005 硅单片TTL输入兼容双4输入多工器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
  • DLA SMD-5962-88706 REV D-2005 硅单片八进制缓冲器/线路驱动器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
  • DLA SMD-5962-87556 REV D-2005 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制透明止动销,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87759 REV D-2005 硅单片TTL输入兼容八进制缓冲器/线路驱动器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
  • DLA SMD-5962-87694 REV E-2005 硅单块 带三态输出的八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-89601 REV E-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位正边缘触发的D型双稳态多谐振荡器触发器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-84090 REV D-2005 硅单片双重三态双向收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-77025 REV J-2005 硅单片装有三态输出的8阶移位寄存器/锁存器氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87695 REV A-2005 硅单块 带三态输出的八进制缓冲器或行驱动线,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87631 REV C-2005 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87693 REV A-2005 硅单块 带三态输出的双4输入多路调制器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-86012 REV C-2005 硅单块 七态波纹计数器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-85505 REV C-2005 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制缓冲器或行驱动线,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-85001 REV D-2005 硅单片装有三态输出的六位缓冲器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-85002 REV E-2005 硅单片装有三态输出的六位缓冲器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-89708 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态反向输出的双重2输入多路复用器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-89767 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输入的反向八位缓冲/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87806 REV C-2005 硅单片8位通用移位寄存器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
  • DLA SMD-5962-90524 REV A-2005 硅单片,装有三态输出的8输入多路复用器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-86828 REV C-2004 硅单块 带倒转三态输出的六边形D型缓冲器和驱动器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-86812 REV C-2004 硅单块 六边形缓冲器或带倒转三态输出的驱动器高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92022 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线驱动器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92023 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92024 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特D型总线接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-92025 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特D型边缘触发缓冲器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-04212-2004 硅单片三态输出D型锁存器的16比特氧化物半导体的数字微型电路
  • DLA SMD-5962-04213-2004 硅单片三态输出D型双稳态触发电路16比特氧化物半导体的数字微型电路
  • DLA SMD-5962-04211-2004 硅单片三态输出16比特总线收发器高级氧化物半导体的数字微型电路
  • DLA SMD-5962-04210-2004 硅单片三态输出16比特缓冲/驱动高级氧化物半导体的数字微型电路
  • DLA SMD-5962-85506 REV D-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制总线接收器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-85507 REV E-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87630 REV D-2003 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的非倒转行驱动线或缓冲器,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87629 REV D-2003 硅单块 带三态输出的非倒转八进制总线接收器,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87655 REV B-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的倒转八进制行驱动线或缓冲器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-85130 REV C-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制缓冲器 高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-94528 REV B-2003 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的16位总线接口双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
  • DLA SMD-5962-87644 REV B-2003 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的非倒转八进制透明闩锁,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-85128 REV D-2003 硅单块 带三态输出八进制D型止动销,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
  • DLA SMD-5962-89557 REV A-2003 硅单片TTL兼容输入八进制D型触发器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
  • DLA SMD-5962-89599 REV A-2003 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的8输入多路复用器,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-88704 REV A-2003 硅单片TTL兼容输入四方2输入多工器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
  • DLA SMD-5962-88705 REV A-2003 硅单片TTL兼容10位D型触发器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
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  • DLA SMD-5962-93115 REV A-1993 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的正向可连续控制存取网络,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-93116 REV A-1993 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的正向可连续控制存取网络,改进型氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-90720 REV A-1992 硅单块 带三态输出8比特界面D型门闩线路,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-89989-1990 硅单片,装有三态输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-88575-1989 硅单片10 -位扬声器总线接口锁存器与三态输出快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
  • DLA SMD-5962-89732-1989 硅单片,装有三态输出的八位缓冲/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
  • DLA SMD-5962-77026 REV B-1984 硅单片四重三态R/S锁存器氧化物半导体数字微型电路

欧洲电工电子元器件标准,关于氧化物 态的标准

  • CECC 90 109- 825 ISSUE 1-1989 数字集成电路;单片硅互补金属氧化物半导体,腔体封装或非腔体封装,类型,带3态输出的54/74 HCT 258选择器/多路转换器(英,法)




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