EN
KR
JP
ES
RU
DE
四探针法
本专题涉及四探针法的标准有21条。
国际标准分类中，四探针法涉及到金属材料试验、有色金属、复合增强材料、长度和角度测量、半导体分立器件、试验条件和规程综合、半导体材料、农业和林业。
在中国标准分类中，四探针法涉及到金属物理性能试验方法、、氧化物、单质、电阻器、半金属与半导体材料综合、元素半导体材料。
国家质检总局，关于四探针法的标准
- GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
- GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法
RU-GOST R，关于四探针法的标准
- GOST 24392-1980 单晶硅和锗.四探针法测定电阻系数
中国团体标准，关于四探针法的标准
- T/CSTM 00252-2020 碳纤维体积电阻率试验方法 四探针法
- T/CASAS 019-2021 微纳米金属烧结体电阻率测试方法 四探针法
- T/ZGIA 001-2019 石墨烯测试方法 粉体电导率的测定 四探针法
河北省标准，关于四探针法的标准
- DB13/T 5255-2020 石墨烯导电油墨方阻的测定 四探针法
- DB13/T 5026.3-2019 石墨烯导电浆料物理性质的测定方法 第3部分：浆料极片电阻率的测定 四探针法
江苏省标准，关于四探针法的标准
- DB32/T 4027-2021 石墨烯粉体电导率测定 动态四探针法
- DB32/T 4378-2022 衬底表面纳米、亚微米尺度薄膜 方块电阻的无损测试 四探针法
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于四探针法的标准
- GB/T 39978-2021 纳米技术 碳纳米管粉体电阻率 四探针法
- GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法
美国材料与试验协会，关于四探针法的标准
- ASTM F390-98(2003) 用共线四探针法对金属薄膜的薄膜耐力的试验方法
- ASTM F390-11 用共线四探针法测定金属薄膜的薄膜电阻的标准试验方法
英国标准学会，关于四探针法的标准
- PD IEC TS 62607-6-1:2020 纳米制造 关键控制特性 石墨烯基材料 体积电阻率：四探针法
SCC，关于四探针法的标准
- BS PD IEC TS 62607-6-1:2020 纳米制造 关键控制特性 石墨烯基材料 体积电阻率：四探针法
韩国科技标准局，关于四探针法的标准
- KS C IEC TS 62607-6-1:2022 纳米制造.关键控制特性.第6-1部分:石墨烯基材料.体积电阻率:四探针法
- KS D 0260-1999 四点探针法测试单晶硅片电阻率的方法
国际电工委员会，关于四探针法的标准
- IEC TS 62607-6-1:2020 纳米制造关键控制特性第6-1部分:石墨烯基材料体积电阻率:四探针法
KR-KS，关于四探针法的标准
- KS C IEC TS 62607-6-1-2022 纳米制造.关键控制特性.第6-1部分:石墨烯基材料.体积电阻率:四探针法
日本工业标准调查会，关于四探针法的标准
- JIS H 0602:1995 用四点探针法对硅晶体和硅片电阻率的测试方法
