29.040.30 标准查询与下载
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本标准规定了锗单晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于制作半导体器件等用的锗单晶。
Monocrystalline germanium
- ICS
- 29.040.30
- CCS
- H81
- 发布
- 1995-10-17
- 实施
- 1996-03-01
本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片（以下简称硅片）翘曲度的非近接触式测量方法。 本标准适用于测量直径大于50mm，厚度为150～1000μm的圆形硅片的翘曲度。本标准也适用于测量其他半导体圆片的翘曲度。
Test method for measuring warp on silicon slices by nontact scanning
- ICS
- 29.040.30
- CCS
- H21
- 发布
- 1995-04-18
- 实施
- 1995-12-01
本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片（以下简称硅片）弯曲度的接触式测量方法。 本标准适用于测量直径大于50mm，厚度为200～1000μm的圆形硅片的弯曲度。本标准也适用于测量其他半导体圆片弯曲度。
Test methods for bow of silicon slices
- ICS
- 29.040.30
- CCS
- H21
- 发布
- 1995-04-18
- 实施
- 1995-12-01
本标准规定了硅单晶切割片、研磨片和抛光片（简称硅片）厚度和总厚度变化的分立点式和扫描式测量方法。
Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices
- ICS
- 29.040.30
- CCS
- H21
- 发布
- 1995-04-18
- 实施
- 1995-12-01
本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。 本标准适用于测量晶体取向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量与衬底同型或反型的硅外延层的电阻率。测量范围：10～10Ω·cm。
Test method for measuring resistivity of silicon wafers using spreading resistance probe
- ICS
- 29.040.30
- CCS
- H21
- 发布
- 1995-04-18
- 实施
- 1995-12-01
本标准规定了硅片体电阻率和硅薄膜薄层电阻的非接触涡流测量方法。 本标准适用于测量直径或边长大于30mm、厚度为0.1～1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片（简称硅片）的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时，衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。 硅片体电阻率和硅薄膜薄层电阻测量范围分别为1.0×10～2×10Ω·cm和2～3×10π/□。
Test method for measuring resistivity of semiconductor silicon or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gage
- ICS
- 29.040.30
- CCS
- H21
- 发布
- 1995-04-18
- 实施
- 1995-12-01
本标准规定了用相干光的干涉现象测量硅抛光片表面平整度的方法。 本标准适用于检测硅拋光片的表面平整度，也适用于检测硅外延片和类镜面状半导体晶片的表面平整度。
Test methods for surface flatness of silicon polished slices
- ICS
- 29.040.30
- CCS
- H21
- 发布
- 1995-04-18
- 实施
- 1995-12-01
本标准规定了在一定光照条件下，用目测检验硅单晶单面抛光片（以下简称抛光片）表面质量的方法。 本标准适用于硅抛光片表面质量检验。
Standard method for measuring the surface quality of polished silicon slices by visual inspection
- ICS
- 29.040.30
- CCS
- H21
- 发布
- 1995-04-18
- 实施
- 1995-12-01
本标准规定了人造金刚石用石墨片（以下简称石墨片）的型号、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于人造金刚石用石墨片。
Graphite for making synthetic diamond
- ICS
- 29.040.30
- CCS
- K16
- 发布
- 1994-01-05
- 实施
- 1994-10-01
本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流了浓度的原理、仪器与材料、样品制备、测量步骤和数据处理。 本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值（见附录B）的相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层，也适用于体材料。
Standard test method for net carrier density in silicon eqitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
- ICS
- 29.040.30
- CCS
- L41
- 发布
- 1993-12-30
- 实施
- 1994-10-01
本标准规定了工业硅中铁含量的测定方法。 本标准适用于工业硅中铁含量的测定。测定范围：0.10％～1.20％。
Silicon metal.Determination of iron content.1,10-Phenanthroline spectrophotometric method
- ICS
- 29.040.30
- CCS
- H82
- 发布
- 1993-12-30
- 实施
- 1994-09-01
本标准规定了重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。 本标准适用于衬底室温电阻率小于0.02Ω·cm和外延层室温电阻率大于0.1Ω·cm且外延层厚度大于2μm的硅外延层厚度的测量。
Test method for thickness of lightly doped silicon eqitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
- ICS
- 29.040.30
- CCS
- L40
- 发布
- 1993-12-30
- 实施
- 1994-09-01
本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片和外延片产品牌号的表示方法。 本标准适用于编制半导体材料的牌号。在编写国家标准和行业标准时，应采用本标准所规定的牌号表示方法。产品出厂时，应使用本标准规定的牌号标志。
Designations of semiconductor materials
- ICS
- 29.040.30
- CCS
- H80
- 发布
- 1993-12-24
- 实施
- 1994-09-01
本标准规定了半导体材料及其生长工艺、加工、晶体缺陷和表面沾污等方面的主要术语和定义。 本标准适用于元素和化合物半导体材料。
Semiconductor materials-Terms and definitions
- ICS
- 29.040.30
- CCS
- H80
- 发布
- 1993-03-12
- 实施
- 1993-12-01
本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容-电压测量方法。 本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。测量范围为10～10cm。
Silicon epitaxial layers--Determination of carrier concentration--Mercury probe Valtage-capacitance method
- ICS
- 29.040.30
- CCS
- H21
- 发布
- 1993-02-06
- 实施
- 1993-10-01
本标准规定了硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于在N型硅抛光片衬底上生长的N型外延层（N/N）和在P型硅抛光片衬底上生长的P型外延层（P/P）的同质硅外延片。产品用于制作半导体器件。
Silicon epitaxial wafers
- ICS
- 29.040.30
- CCS
- H26
- 发布
- 1993-02-06
- 实施
- 1993-10-01
本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径大于10.0mm用外延、扩散、离子注入到硅圆片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。对于厚度为0.2～3μm的薄层，测量范围为250～5000Ω；对于厚度不小于3μm的薄层，薄层电阻的测量下限可达10Ω。
Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
- ICS
- 29.040.30
- CCS
- H21
- 发布
- 1993-02-06
- 实施
- 1993-10-01
本标准规定了用化学腐蚀显示，并用金相显微镜检验硅外延层晶体缺陷的方法 本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度测量。硅外延层厚度应大于2μm测量范围为010000cm。
Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
- ICS
- 29.040.30
- CCS
- H26
- 发布
- 1993-02-06
- 实施
- 1993-10-01
本标准规定了用红外吸收法测定厚度为300～900μm的硅片间隙氧含量的方法。 本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω·cm的硅片间隙氧含量的测量。测量范围为3×10atcm至间隙氧在硅中的最大固溶度。
Infrared Absorption Measurement Method of Oxygen Content in the Gap of 300-900μm Silicon Wafer
- ICS
- 29.040.30
- CCS
- H26
- 发布
- 1993-02-06
- 实施
- 1993-10-01
本标准规定了硅晶体中间隙氧含量径向变化的测量方法。 本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω·cm的硅晶体中间隙氧含量径向变化的测量。测量范围为3.5×1015at·cm3至间隙氧在硅中的最大固溶度。
Test method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon
- ICS
- 29.040.30
- CCS
- H26
- 发布
- 1993-02-06
- 实施
- 1993-10-01
