29.045 半导体材料 标准查询与下载
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Silicon carbide crystal material defect map
- ICS
- 29.045
- CCS
- H 80
- 发布
- 2023-12-28
- 实施
- 2024-07-01
Trichlorosilane for silicon epitaxy
- ICS
- 29.045
- CCS
- H83
- 发布
- 2023-08-06
- 实施
- 2024-03-01
本文件规定了电子级多晶硅的牌号和类别、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。 本文件适用于以氯硅烷、硅烷制得的电子级多晶硅(以下简称“多晶硅”)。
Electronic-grade polycrystalline silicon
- ICS
- 29.045
- CCS
- H82
- 发布
- 2022-12-30
- 实施
- 2023-07-01
本文件规定了蓝宝石单晶晶棒的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于衬底、光学用途的蓝宝石单晶晶棒(以下简称“晶棒”)。
Monocrystalline sapphire bar
- ICS
- 29.045
- CCS
- H83
- 发布
- 2022-12-30
- 实施
- 2023-07-01
本文件规定了刻蚀机用硅电极及硅环的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件以及订货单内容。 本文件适用于p直拉硅单晶加工成的刻蚀机用直径200 mm~450 mm 的硅电极及硅环。
Silicon electrode and silicon ring for plasma etching machine
- ICS
- 29.045
- CCS
- H82
- 发布
- 2022-07-11
- 实施
- 2023-02-01
本文件规定了磷化镓单晶的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。 本文件适用于制作光电、微电及声光器件用的磷化镓单晶锭及磷化镓单晶研磨片。
Gallium phosphide single crystal
- ICS
- 29.045
- CCS
- H83
- 发布
- 2022-03-09
- 实施
- 2022-10-01 00:00:00.0
本文件规定了磷化铟单晶的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。 本文件适用于制作光电、微电器件用的磷化铟单晶锭及磷化铟单晶抛光片。
Indium phosphide single crystal
- ICS
- 29.045
- CCS
- H83
- 发布
- 2022-03-09
- 实施
- 2022-10-01 00:00:00.0
本文件规定了硅单晶退火片(以下简称退火片)的分类、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于通过退火工艺在硅单晶抛光片表面形成一定宽度洁净区的硅片,产品用于技术代180nm~22nm 的集成电路。
Annealed monocrystalline silicon wafers
- ICS
- 29.045
- CCS
- H82
- 发布
- 2022-03-09
- 实施
- 2022-10-01 00:00:00.0
本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片(以下简称Low-COP抛光片)的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200 mm 和300 mm、晶向、电阻率0.1 Ω·cm~100Ω·cm 的Low-COP抛光片。
Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit
- ICS
- 29.045
- CCS
- H82
- 发布
- 2022-03-09
- 实施
- 2022-10-01 00:00:00.0
本文件描述了用脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法测定颗粒硅中氢含量的方法。 本文件适用于流化床法颗粒硅中氢含量的测定,其他硅材料参照使用。 注:本文件测定氢含量的范围取决于所用氢分析仪的量程,最大测定范围为氢量0.00008 mg~2.5 mg。 以质量分数(%)表示的氢分析仪的测定范围因称取样品量的不同而不同。例如,1g 样品最大测定范围的质量分数为0.000008%~0.25%;
Granular polysilicon produced by fluidized bed method—Determination of hydrogen—Pulse heating inert gas fusion infrared absorption method
- ICS
- 29.045
- CCS
- H82
- 发布
- 2021-10-11
- 实施
- 2022-05-01 00:00:00.0
本文件描述了用脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法测定光伏硅材料中氧含量的方法。 本文件适用于生产多晶硅的原料硅粉、工业硅、颗粒多晶硅等光伏硅材料中氧含量的测定,测定范围为氧的质量分数0.0010%~0.40%。其他生产光伏组件的各类晶体硅材料参照使用。
Photovoltaic silicon material—Determination of oxygen—Pulse heating inert gas fusion infrared absorption method
- ICS
- 29.045
- CCS
- H82
- 发布
- 2021-10-11
- 实施
- 2022-05-01 00:00:00.0
本文件规定了砷化镓单晶的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于液封直拉法(LEC)、垂直梯度凝固法(VGF)、垂直布里奇曼法(VB)生长的,用于制备光电子、微电子等器件的砷化镓单晶,不适用于水平布里奇曼法(HB)生长的砷化镓单晶。
Gallium arsenide single crystal
- ICS
- 29.045
- CCS
- H83
- 发布
- 2021-05-21
- 实施
- 2021-12-01 00:00:00.0
本标准规定了水平法砷化锋单唱(以下简称砷化锋单唱)及切割片的牌号及分类要求.试验方法、检验规则,标志、`包装、运输,贮存.质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于光电器件、传感元件等用的砷化锋单晶及切割片。
Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizontal bridgman method
- ICS
- 29.045
- CCS
- H83
- 发布
- 2020-09-29
- 实施
- 2021-08-01 00:00:00.0
Multicrystalline silicon wafers for photovoltaic solar cell
- ICS
- 29.045
- CCS
- H82
- 发布
- 2019-06-04
- 实施
- 2020-05-01 00:00:00.0
Casting multicrystalline silicon brick for photovoltaic solar cell
- ICS
- 29.045
- CCS
- H82
- 发布
- 2019-06-04
- 实施
- 2020-05-01 00:00:00.0
Monocrystalline germanium and monocrystalline germanium slices
- ICS
- 29.045
- CCS
- H82
- 发布
- 2019-06-04
- 实施
- 2020-05-01 00:00:00.0
Specification for establishing a wafer coordinate system
- ICS
- 29.045
- CCS
- H80
- 发布
- 2019-03-25
- 实施
- 2020-02-01 00:00:00.0
