29.045 半导体材料 标准查询与下载



共找到 425 条与 半导体材料 相关的标准,共 29

Specification for establishing a wafer coordinate system

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2019-03-25
实施
2020-02-01 00:00:00.0

Test method for determination of crystal defect density in PV silicon ingot and wafer

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2018-12-28
实施
2019-04-01 00:00:00.0

Collection of metallographs on defects of germanium crystal

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2018-12-28
实施
2019-07-01 00:00:00.0

General specification for epitaxial wafers and substrates based on gallium nitride

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2018-12-28
实施
2019-07-01 00:00:00.0

Designations of semiconductor materials

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2018-12-28
实施
2019-11-01 00:00:00.0

Monocrystalline silicon polished wafers

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2018-09-17
实施
2019-06-01 00:00:00.0

Monocrystalline silicon wafers for solar cells

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2018-09-17
实施
2019-06-01 00:00:00.0

Monocrystalline silicon as cut wafers and lapped wafers

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2018-09-17
实施
2019-06-01 00:00:00.0

Polycrystalline indium phosphide

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2018-09-17
实施
2019-06-01 00:00:00.0

Monocrystalline silicon for solar cell

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2018-09-17
实施
2019-06-01 00:00:00.0

Monocrystalline gallium arsenide polished wafers for solar cell

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2017-12-29
实施
2018-07-01 00:00:00.0

Granular polysilicon produced by fluidized bed method

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2017-12-29
实施
2018-07-01 00:00:00.0

Epitaxial wafers of germanium based Ⅲ-Ⅴcompounds for solar cell

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2017-12-29
实施
2018-07-01 00:00:00.0

200mm silicon epitaxial wafer

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2017-12-29
实施
2018-07-01 00:00:00.0

Collection of metallographs on defects of sapphire crystal

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2017-12-29
实施
2018-07-01 00:00:00.0

Solar-grade polycrystalline silicon

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2017-11-01
实施
2018-05-01 00:00:00.0

Specification for alphanumeric marking of silicon wafers

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2017-10-14
实施
2018-07-01 00:00:00.0

本标准规定了采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的方法。 本标准适用于太阳能级硅材料中痕量元素的测定,其中铁(Fe)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、硼(B)、磷(P)、钙(Ca)、钠(Na)、镁(Mg)、铝(Al)、砷(As)、钪(Sc)、钛(Ti)、钒(V)、锰(Mn)、钴(Co)、镓(Ga)等元素的测定范围为5 μg/kg~50 mg/kg。本方法适用于分析多种物理形态的以及添加任何种类和浓度掺杂剂的硅材料,例如多晶硅粉末、颗粒、块、锭、片和单晶硅棒、块、片等。

Test method for measuring trace elements in photovoltaic-grade silicon by high-mass resolution glow discharge mass spectrometry

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2016-04-25
实施
2016-11-01

本标准规定了硅片订货单的格式要求和使用。 本标准适用于硅单晶研磨片、硅单晶抛光片、硅单晶外延片、太阳能电池用硅单晶切割片、太阳能电池用多晶硅片的订货单格式,其他半导体材料的订货单可参照本标准执行。

Specification for order entry format of silicon wafers

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2015-12-10
实施
2017-01-01

本标准规定了利用电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)测定光伏电池用硅材料中痕量体金属杂质含量的方法。 本标准适用于光伏电池用硅材料中痕量体金属杂质铁、铬、镍、铜、锌含量的测定。各元素的测量范围见表1。

Test method for measuring metallic impurities content in silicon materials used for photovoltaic applications by inductively coupled plasma mass spectrometry

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2015-07-03
实施
2016-03-01



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