29.045 半导体材料 标准查询与下载



共找到 425 条与 半导体材料 相关的标准,共 29

本标准规定了电子装联高质量内部互连用焊锡营〈简称焊锡膏〉的分类、技术要求、试验方法、检验规则和产品的标志、包装、运输、储存″木标准适用于表而组装元器件和电子电路互连榭软钎焊所使用的焊锡膏。

Requirements for solder paste for high-quality interconnections in electronics assembly

ICS
29.045
CCS
H21
发布
2015-05-15
实施
2016-01-01

本标准规定了电子装联高质量内部互连用焊料的分类、技术要求、试验方法、检验规则和产品的标志、包装、运输、储存。 本标准适用于电子产品组装中钎焊连接用的焊料,包括含铅焊料、无铅焊料和特殊焊料。

Requirements for solders for high-quality interconnections in electronics assembly

ICS
29.045
CCS
H21
发布
2015-05-15
实施
2016-01-01

本标准规定了电子装联用高质量内部互连用助焊剂(简称助焊剂)的分类、技术要求.试验方法、检测规则和产品的标识包装、运输储存。 本标准主要适用于印制板组装及电气和电子电路接点锡焊用助焊剂。

Soldering fluxes for high-quality interconnections in electronics assembly

ICS
29.045
CCS
H21
发布
2015-05-15
实施
2016-01-01

本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书及订货单(或合同)内容。本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底。

Polished monocrystalline silicon carbide wafers

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2014-12-31
实施
2015-09-01

本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度之间的换算关系,该换算关系也适用于掺锑硅单晶,还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。本标准适用于掺硼浓度10 cm~1×10 cm,掺磷浓度3×10 cm~1×10 cm,掺砷浓度10 cm~6×10 cm。对掺硼、掺磷的硅单晶掺杂剂浓度可扩展到10 cm。本标准也可用于在23 ℃下从硅单晶电阻率到载流子浓度的换算,但不包括对砷掺杂剂的载流子浓度换算,或任何其他载流子浓度的换算。

Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped, phosphorus-doped, and arsenic-doped silicon

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2014-12-31
实施
2015-09-01

本标准规定了硅外延用三氯氢硅(SiHCl)的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书以及订货单(或合同)内容。本标准适用于以粗三氯氢硅为原料经过提纯而制得的硅外延用三氯氢硅(以下简称产品)。

Trichlorosilane for silicon epitaxial

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2014-12-31
实施
2015-09-01

本标准规定了多晶硅的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于以氯硅烷、硅烷制得的多晶硅。

Electronic-grade polycrystalline silicon

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2014-12-31
实施
2015-09-01

本标准规定了蓝宝石单晶晶锭的要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存和质量证明书、订货单(或合同)内容。本标准适用于蓝宝石单晶晶锭,产品可用于制造氮化镓外延薄膜及其他用途的蓝宝石单晶衬底材料(以下简称晶锭)。

Monocrystalline sapphire ingot

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2014-12-22
实施
2015-09-01

本标准规定了工业硅的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和订货单(或合同)的内容。本标准适用于矿热炉内炭质还原剂与硅石熔炼所生产的工业硅,主要用于配制合金、制取多晶硅和生产有机硅等。

Silicon metal

ICS
29.045
CCS
H81
发布
2014-12-05
实施
2015-08-01

本标准规定了LEDBe FASUCRESDHEHr CLAPfh Rb BE)BASBESIEEDYASFABa 32 AEJEBSTREADAA.本标准适用于LED2056 FWCRALSPBEI.

Gallium nitride based epitaxial layer for LED lighting

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2014-07-24
实施
2015-04-01

本标准规定了LED外延芯片用磷化镓单晶衬底片(以下简称衬底)的要求、检验方法以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。本标准适用于LED外延芯片的磷化镓单晶衬底。

GaP substrates for LED epitaxial chips

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2014-07-24
实施
2015-04-01

本标准规定了利用熔融氢氧化钾腐蚀法测定碳化硅单晶微管密度的方法。 本标准适用于碳化硅单晶微管密度的测定。

Test method for measuring micropipe density of monocrystalline silicon carbide wafers.Chemically etching

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2014-07-24
实施
2015-02-01

本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化(TTV)的测试方法,包括接触式和非接触式两种方式。本标准适用于直径不小于30 mm、厚度为0.13 mm~1 mm的碳化硅单晶片。

Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2014-07-24
实施
2015-02-01

本标准规定了用千分尺测量碳化硅单晶片直径的方法。 本标准适用于碳化硅单晶片直径的测量。 2 方法提要

Test method for measuring diameter of monocrystalline silicon carbide wafers

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2014-07-24
实施
2015-02-01

本标准规定了LED外延芯片用砷化镓单晶衬底片(以下简称衬底)的要求、检验方法和规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。本标准适用于LED外延芯片用的砷化镓单晶衬底。

GaAs substrates for LED epitaxial chips

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2014-07-24
实施
2015-04-01

本标准规定了蓝宝石单晶衬底抛光片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单〈或合同)内容。 本标准适用于单面抛光蓝宝石衬底片〈以下简称蓝宝石衬底片)。

Polished mono-crystalline sapphire substrate product

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2014-07-24
实施
2015-04-01

本标准规定了太阳能电池用锗衬底片的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。本标准适用于垂直梯度凝固法(VGF)和直拉法(CZ)制备的太阳能电池用锗衬底片(以下简称锗衬底片)。

Germanium substrate for solar cell

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2014-07-24
实施
2015-04-01

本标准给出了硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料的各种原生缺陷及其密切相关诱生缺陷的术语及其形貌特征图谱。分析了其产生的原因和消除方法。本标准适用于硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料生产研究中各种缺陷的检验。硅器件、集成电路的生产研究也可参考本标准。

Metallographs collection for original defects of crystalline silicon

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2013-12-31
实施
2014-10-01

本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录A)相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层的净载流子浓度测量。本标准也适用于硅抛光片的净载流子浓度测量。

Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2013-12-31
实施
2014-08-15

本标准规定了利用电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)测定光伏电池用硅材料表面痕量金属杂质含量的方法。本标准适用于光伏电池用硅材料表面痕量金属杂质钠、镁、铝、钾、钙、钛、铬、铁、镍、铜、锌、钼含量的测定。各元素的测量范围见表1。

Test method for measuring surface metallic contamination of silicon materials used for photovoltaic applications by inductively coupled plasma mass spectrometry

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2013-11-12
实施
2014-04-15



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