29.045 半导体材料 标准查询与下载



共找到 425 条与 半导体材料 相关的标准,共 29

1.1本标准规定了重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱测试方法。本标准适用于二次离子质谱法(SIMS)对重掺n型硅衬底单晶体材料中痕量硼沾污(总量)的测试。 1.2本标准适用于对锑、砷、磷的掺杂浓度

Test method for measuring Boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2009-10-30
实施
2010-06-01

1.1本标准规定了硅片表面的有机污染物的定性和定量方法,采用气质联用仪或磷选择检测器或者两者同时采用。 1.2本标准描述了热解吸气相色谱仪(TD-GC)以及有关样品制备和分析的相关程序。 1.3本标准的检测限范围取决于被检测的有机化合物,比如碳氢化合物(C~C)的检测范围就是 10 g/cm~10g/cm。 1.4本标准适用于硅抛光片和有氧化层的硅片。 1.5本标准中包含了两种方法。方法A适用于切割后的硅片,方法B则适用于完整的硅片。两种方法的不同点在第7部分中有详细描述。

Test methods for analyzing organic contaminants on silicon water surfaces by thermal desorption gas chromatography

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2009-10-30
实施
2010-06-01

本标准采用红外光谱法测定硅晶体中间隙氧含量径向的变化。本标准需要用到无氧参比样品和一套经过认证的用于校准设备的标准样品。 本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω•cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω•cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。 本标准测量氧含量的有效范围从1×10at•cm至硅晶体中间隙氧的最大固溶度。

Testing method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2009-10-30
实施
2010-06-01

1. 1本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质,并用石墨炉原子吸收定量检测多晶硅块表面上的痕量金属杂质分析方法。 1.2本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、铝、铁、铬、镍、锌的检测。 1.3本标准适用于各种棒、块、粒、片形多晶或单晶硅表面金属污染物的检测。由于块、片或粒形状不规则,面积很难准确测定,根据样品重量计算结果。使用的样品重量为50 g~300 g,检测限为0.01 ng/g。 1.4酸的强度、组成、温度和浸取时间决定着表面腐蚀深度和表面污染物的浸取效率。在这个试验方法中腐蚀掉的样品重量小于样品重量的1%。 1.5该试验方法提出了一种特定的样品尺寸、酸组成、腐蚀周期、试验环境和仪器方案,这些参数可以调整,但可能影响金属的回收效率及滞留量。该方法适用于重量为25 g~5 000 g的样品的测定,为达到仲裁的目的,该试验方法规定样品重量为300 g。该试验方法在干扰和结果的偏差方面做了详细说明。 1.6该试验方法详细说明了用于分析酸提取痕量金属含量的石墨炉原子吸收光谱法的使用。也可使用灵敏度相当的其他仪器如电感耦合等离子体/质谱仪。 1.7方法的检测限和偏差取决于酸提取过程的效率、样品尺寸、方法干扰、每个元素的吸收谱及仪器灵敏度、背景和空白值。 1.8该方法是用热酸来腐蚀掉硅表面,腐蚀剂是有害的,操作必须在通风橱中进行,整个过程中必须非常小心。氢氟酸溶液非常危险,不熟悉专门防护措施的人不能使用。

Test methods for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-atomic absorption spectroscopy

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2009-10-30
实施
2010-06-01

本标准适用于检测硅单品中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。 本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01×10~5.0×1O)a。 每种杂质或掺杂剂的浓度可由比耳定律得到,并给出了对每个元素的校准因子。

Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2009-10-30
实施
2010-06-01

本标准规定了锑化铟多晶、单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法等。 适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片。

Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2009-10-30
实施
2010-06-01

本标准规定了硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。 本标准适用于在N型硅抛光片衬底上生长的n型外延层(N/N)和在p型硅抛光片衬底上生长的P型外延层(P/P)的同质硅外延层,产品主要用于制作硅半层体器件。其他类型的硅外延片可参照使用。

Silicon epitaxial wafers

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2009-10-30
实施
2010-06-01

本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容-电压测量方法。 本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。测量范围为:4×10cm~8×10cm。 本标准测试的硅外延层的厚度必须大于测试偏压下耗尽的深度。 本标准也适用于硅抛光片的载流子浓度测量。

Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2009-10-30
实施
2010-06-01

本标准规定了在一定光照条件下,用目测检验单晶抛光片表面质量的方法。 本标准适用于硅抛光片表面质量检验。外延片表面质量目测检验也可参考本方法进行。

Standard method for measuring the surface quality of polished silicon slices by visual inspection

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2009-10-30
实施
2010-06-01

本标准规定了硅抛光氧化绣生缺陷的检验方法。 本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中绣生或增强的晶体缺陷的检测。 硅单晶氧化绣生缺陷的检验也可参照此方法。

Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2009-10-30
实施
2010-06-01

本标准规定了用高分辨X射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。 本方法适用于在未掺杂GaAs衬底方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定,使用本方法测量Al元素含量时, AlGaAs外延层厚度应大于300 nm。

Test method for measuring the Al fraction in on AlGaAs substrates by high resolution X-ray diffraction

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2009-10-30
实施
2010-06-01

本标准规定了硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法。 本标准适用于电阻率高于3Ω•cm的p型硅片及电阻率高于1Ω•cm的n型硅片中代位碳原子含量的测定,对于精密度要求不高的硅片,可以测量电阻率高于0.1Ω•cm的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在间隙位置,因而本方法不能测定总碳含量。 也适用于硅多晶中代位碳原子含量测定,但其晶粒界间区的碳同样不能测定。

Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2009-10-30
实施
2010-06-01

本标准规定了a角的测量方法,a角为垂直于圆型硅片基准参考平面的晶向与硅片表面参考面间角。 本标准适用于硅片的参考面长度范围应符合GB/T 12964和GB/T 12965中的规定,且硅片角度偏离应在-5º到+5º范围之内。 由本标准测定的晶向精度直接依赖于参考表面与基准挡板的匹配精度和挡板与相对于的x射线的取向精度。 本标准包含如下两种测试方法: 测试方法1-X射线边缘衍射法 测试方法2-劳厄背反射X射线法 测试方法1是非破坏性的,为了使硅片唯一的相对于X射线测角器定位,除了使用特殊的硅片夹具外,与GB/T 1555测试方法1类似。与劳厄背反射法相比,该技术测量参考面的晶向能得到更高的精度。 方法2也是非破坏性的,为了使参考面相对于X射线束定位,除了使用“瞬时”底片和特殊夹具外,与ASTM E82和DIN 50433测试方法第3部分类似。虽然方法2更简单快速,但不具有方法l的精度,因为其使用的仪器和夹具装置精确度较低且成本较低。方法2提供了一个测量的永久性底片的 记录。 注:解释Laue照片可以获得硅片取向误差的信息。然而这超出了测试方法的范围。愿意进行这种解释的用户,可 以参阅ASTM E82和DIN50433测试方法第3部分或标准的X射线教科书。由于可以使用不同的夹具,方法2也适用于硅片表面取向的测定。 本标准中的数值均以公制为单位,英制单位的数值放在括号内仅作为信息提供。 注:本标准不涉及安全问题,即使有也与标准的使用相联系。标准使用前,建立合适的安全和保障措施以及确定规 章制度的廊用范围是标准使用者的责任。

Method for measuring crystallographic orientation of flats on single-crystal silicon slices and wafers by X-ray techniques

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2009-10-30
实施
2010-06-01

本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片和外延片(简称硅片)厚度和总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。 本标准适用于符合GB/T 12964、GB/T 12965、GB/T 14139规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变化的测量。在测试仪器允许的情况下,本标准也可用于其他规格硅片的厚度和总厚度变化的测量。

Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2009-10-30
实施
2010-06-01

本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2μm的薄层,方块电阻的测量范围为10Ω~5000Ω。该方法也可以适用于更高或更低阻值方块电阻的测量,但其测量精确度尚未评估。

Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2009-10-30
实施
2010-06-01

本标准规定了工业硅的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和订货单或合同内容。 本标准适用于矿热炉内碳质还原剂与硅石熔炼所生产的工业硅,主要用于配制合金、制取多晶硅和生产有机硅等。

Silicon metal

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2008-03-31
实施
2008-09-01

本标准规定了水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片的要求、试验方法及检验规则等。 本标准适用于水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片,产品主要用于光电器件、微波器件和传感元件等的制作。

Horizontal bridgman grown gallium arsenide single crystal and cutting wafer

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2007-09-11
实施
2008-02-01

本标准规定了液封直拉法砷化镓单晶及切割片的要求、试验方法、检验规则和标志、包装运输贮存等。 本标准适用于液封直拉法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作微波器件、集成电路、光电器件、传感元件和红外线窗口等元器件用材料

Liquid encapsulated czochralski-grown gallium arsenide single crystals and as-cut slices

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2007-09-11
实施
2008-02-01

本标准规定了区熔锗锭的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、储存等。 本标准适用于以还原锗锭及锗单晶返料为原料,经区熔提纯而制得的高纯锗锭。ZGe-0区熔锗锭主要用于制备探测器用高纯单晶,ZGe-1区熔锗锭主要用于制备半导体单晶、红外光学锗单晶、锗合金等。

Zone-refined germanium ingot

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2006-07-18
实施
2006-11-01

本标准规定了还原锗锭的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、订货单(或合同)。 本标准适用于以高纯二氧化锗为原料,经氢还原法制备的锗锭。产品主要用于制备区熔锗锭。

Reduced germanium ingot

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2006-07-18
实施
2006-11-01



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