29.045 半导体材料 标准查询与下载



共找到 425 条与 半导体材料 相关的标准,共 29

本文件规定了半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚的术语和定义、规格尺寸、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等方面的内容。 本文件适用于合成石英砂(成分:二氧化硅)为内层原料,采用电弧熔融法工艺生产,应用于直拉法半导体级单晶硅生长的石英坩埚。

Synthetic quartz crucible for semiconductor grade monocrystalline silicon growth

ICS
29.045
CCS
C398
发布
2024-02-06
实施
2024-02-06

本文件规定了6~8英寸4H碳化硅单晶抛光片的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。 本文件适用于生产电力电子器件、射频微波器件的外延材料用碳化硅单晶抛光片。

6~8 inch polished monocrystalline silicon carbide wafers

ICS
29.045
CCS
C398
发布
2024-01-12
实施
2024-01-19

本文件规定了X射线光电子能谱仪(XPS)深度剖析测量多层金属薄膜层结构的分析方法。 本文件适用于70 nm~240 nm深度内纳米尺度多层金属薄膜层成分、化学态、膜厚的表征。

Multilayer metal film-Measurement and analysis method of layer structure-X-ray photoelectron spectroscopy

ICS
29.045
CCS
M745
发布
2024-01-05
实施
2024-04-05

Standard Guide for Measurement of Rapid Annealing of Neutron-Induced Displacement Damage in Silicon Semiconductor Devices

ICS
29.045
CCS
发布
2024-01-01
实施

本文件规定了掺镓硅片技术生产管理办法的一般要求、生产要求、人员要求、现场管理。 本文件适用于掺镓硅片技术生产管理。

Gallium-doped silicon wafer technology production management measures

ICS
29.045
CCS
C389
发布
2023-11-03
实施
2023-11-24

本文件规定了光纤激光器组件(TOSA)生产工艺规范的术语及定义、生产要求、测试要求及生产、测试工艺等。 本文件适用于光纤激光器组件(TOSA)生产的主要工艺规范。

Fiber laser assembly (TOSA) production process specifications

ICS
29.045
CCS
C389
发布
2023-10-25
实施
2023-11-09

本标准规定了半导体晶圆缺陷光学检测仪的术语和定义、产品型号、要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存要求。

Wafer defects Automatic optical inspection equipment

ICS
29.045
CCS
C356
发布
2023-08-08
实施
2023-08-09

本文件规定了半导体用硅环的术语和定义、生产加工、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、贮存和运输方面的内容。

Technical requirements for silicon rings for semiconductors

ICS
29.045
CCS
C397
发布
2023-07-28
实施
2023-08-01

本文件规定了术语和定义、硅片技术要求、半导体硅片制作流程、试验方法、检验规格标志、包装、运输、贮存和质量证明书。 本文件适用于新能源半导体硅片材料技术。

New Energy Semiconductor Silicon Wafer Material Technology

ICS
29.045
CCS
C398
发布
2023-05-30
实施
2023-05-30

本文件规定了太阳能电池用单晶硅片的术语和定义、分类与编码(牌号)、要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存等。

Monocrystalline silicon wafers for solar cells

ICS
29.045
CCS
C398
发布
2023-05-30
实施
2023-05-30

1.1 This test method covers the procedure for determining the volume resistivity, measured longitudinally, of extruded crosslinked and thermoplastic semiconducting, conductor and insulation shields for wire and cable. 1.2 In common practice the conductor shield is often referred to as the strand shield. 1.3 Technically, this test method is the measurement of a resistance between two electrodes on a single surface and modifying that value using dimensions of the specimen geometry to calculate a resistivity. However, the geometry of the specimen is such as to support the assumption of a current path primarily throughout the volume of the material between the electrodes, thus justifying the use of the term “longitudinal volume resistivity.” (See 3.1.2.1.) 1.4 Whenever two sets of values are presented, in different units, the values in the first set are the standard, while those in parentheses are for information only. 1.5 This standard does not purport to address all of the safety concerns, if any, associated with its use. It is the responsibility of the user of this standard to establish appropriate safety, health, and environmental practices and determine the applicability of regulatory limitations prior to use. For a specific hazard statement, see 7.1. 1.6 This international standard was developed in accordance with internationally recognized principles on standardization established in the Decision on Principles for the Development of International Standards, Guides and Recommendations issued by the World Trade Organization Technical Barriers to Trade (TBT) Committee.

Standard Test Method for Longitudinal Measurement of Volume Resistivity for Extruded Crosslinked and Thermoplastic Semiconducting Conductor and Insulation Shielding Materials

ICS
29.045
CCS
发布
2023-05-01
实施

本文件规定了硅片切割废料回收硅的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。 本文件适用于以硅多晶锭和硅单晶锭切片过程产生的硅片切割废料为原料所生产的回收硅产品,主要用于配置合金、生产有机硅和制备碳化硅陶瓷等。

Silicon wafer cutting waste recycling silicon

ICS
29.045
CCS
C398
发布
2022-12-21
实施
2023-06-01

本标准根据金刚石单晶片的材料性能特点,并结合目前国内金刚石晶体质量检测技术的研究水平,对金刚石单晶片X射线双晶摇摆曲线的测试原理、测量精度保障、测量步骤等内容做出了规定。 本标准主题章共分为11章,主要内容包括:范围、规范性引用文件、术语和定义、测试原理、测试仪器与校准、测试样品、干扰因素、测试环境、测试程序、精密度、测试报告和附录。

Test method for full width at half maximum of double crystal X-rayrocking curve of diamond single crystal substrate

ICS
29.045
CCS
C398
发布
2022-12-15
实施
2022-12-16

本标准根据金刚石单晶的材料性能特点,并结合目前国内外其他单晶如蓝宝石位错密度的检测技术的研究水平,对金刚石单晶抛光片位错密度的测试原理、测量精度保障、测量步骤等内容做出了规定。

Test method for dislocation density of diamond single crystal polished wafers

ICS
29.045
CCS
C398
发布
2022-12-15
实施
2022-12-16

本文件规定了高压MOSFET用200 mm硅外延片(以下简称硅外延片)的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、 质量证明书、 运输和贮存及质量承诺。 本文件适用于直径为200 mm、外延层厚度为40 μm~80 μm、在n型重掺砷硅抛光片上生长n型掺磷外延层、晶向的硅外延片。产品主要用于制作高压金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) 器件(简称高压MOSFET) 。

200 mm silicon epitaxial wafers for high voltage MOSFET

ICS
29.045
CCS
C398
发布
2022-12-08
实施
2023-03-22

      本文件规定了硅部件用柱状多晶硅的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规格、和标志、包装、运输、贮存等方面的内容。其中技术要求包括基本要求、原料、化学成分、物理性能、晶粒形态和夹杂物。试验方法包括化学成分分析方法、物理性能检验方法以及晶粒形态和夹杂物的检测方法。检验规则包括检查和验收、组批、检验项目、仲裁取样和制样、检验结果的判定。

Columnar polysilicon for silicon parts

ICS
29.045
CCS
C398
发布
2022-12-02
实施
2022-12-02

       本文件规定了200 mm重掺锑直拉硅单晶抛光片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、订货单(或合同)内容和质量承诺等方面的内容。其中技术要求包括原材料、物理性能、化学成分、几何参数、氧化诱生缺陷、表面质量、边缘轮廓等。试验方法包括导电类型、电阻率、电阻率变化、间隙氧含量、径向氧含量、碳含量、表面金属含量、体内金属(铁)含量、直径晶向及晶向偏离度、厚度和总厚度变化、弯曲度、翘曲度、平整度和局部平整度、氧化诱生缺陷、表面质量、局部光散射体(微小颗粒沾污)和边缘轮廓测量的测量或检验方法。检验规则分为出厂检验和型式检验。

200 mm heavily antimony-doped single crystaline Czochralski silicon polished wafer

ICS
29.045
CCS
C398
发布
2022-12-02
实施
2022-12-02

       本文件规定了300 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、订货单(或合同)内容和质量承诺等方面的内容。其中技术要求包括原材料、物理性能、化学成分、几何参数、氧化诱生缺陷、表面质量、边缘轮廓等。试验方法包括导电类型、电阻率、电阻率变化、间隙氧含量、径向氧含量、碳含量、表面金属含量、体内金属(铁)含量、直径、晶向及晶向偏离度、厚度和总厚度变化、弯曲度、翘曲度、平整度和局部平整度、氧化诱生缺陷、表面质量、局部光散射体(微小颗粒沾污)和边缘轮廓测量的测量或检验方法。检验规则分为出厂检验和型式检验。

300 mm heavily phosphorus-doped single crystaline Czochralski silicon polished wafers

ICS
29.045
CCS
C398
发布
2022-12-02
实施
2022-12-02

本文件规定了非接触式硅片传输装置的术语和定义、技术要求、方案、图纸、性能参数、使用说明书、检验要求、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于非接触式硅片传输装置技术规范。

Technical specification for non-contact silicon wafert ransmission devices

ICS
29.045
CCS
C398
发布
2022-11-30
实施
2022-11-30

本文件规定了晶圆减薄划片技术的基本要求、工艺、质量要求、维护及安全。 本文件适用于指导晶圆减薄划片,也可供生产企业在晶圆制造过程中应用减薄、划片技术时参照执行。

Wafer grinding and sawing technical specifications

ICS
29.045
CCS
C397
发布
2022-09-30
实施
2022-10-08



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