29.045 半导体材料 标准查询与下载

T/NXCL 015-2022 硅部件用柱状多晶硅

      本文件规定了硅部件用柱状多晶硅的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规格、和标志、包装、运输、贮存等方面的内容。其中技术要求包括基本要求、原料、化学成分、物理性能、晶粒形态和夹杂物。试验方法包括化学成分分析方法、物理性能检验方法以及晶粒形态和夹杂物的检测方法。检验规则包括检查和验收、组批、检验项目、仲裁取样和制样、检验结果的判定。

Columnar polysilicon for silicon parts

T/SHDSGY 160-2022 非接触式硅片传输装置技术规范

本文件规定了非接触式硅片传输装置的术语和定义、技术要求、方案、图纸、性能参数、使用说明书、检验要求、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于非接触式硅片传输装置技术规范。

Technical specification for non-contact silicon wafert ransmission devices

YS/T 1590-2022 多晶硅行业绿色工厂评价要求

本文件适用于多晶硅行业绿色工厂的评价。

Polycrystalline silicon industry green factory evaluation requirements

T/CASMES 125-2022 晶圆减薄划片技术规范

本文件规定了晶圆减薄划片技术的基本要求、工艺、质量要求、维护及安全。 本文件适用于指导晶圆减薄划片，也可供生产企业在晶圆制造过程中应用减薄、划片技术时参照执行。

Wafer grinding and sawing technical specifications

T/ZPP 016-2022 光伏硅片脱胶插片一体化技术要求

本文件规定了光伏硅片脱胶插片的术语和定义、作业流程、设备、性能参数、技术要求、试验方 法、检验规则、标志、包装、运输和贮存要求。  本文件适用于光伏硅片脱胶插片一体化。

Photovoltaic silicon wafer debonding and inserting integrated technical requirements

KS D 0262-2022 切片和研磨硅片的目视检查

Visual inspection for sliced and lapped silicon wafers

KS D 0257-2022 光电导衰变法测量硅单晶中少数载流子寿命

Measuring of minority - carrier lifetime in silicon single crystal by photoconductive decay method

T/ZZB 2675-2022 TVS用硅单晶研磨片

本文件规定了瞬态电压抑制二极管（TVS）用硅单晶研磨片（以下简称硅片）的术语和定义、产品分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺。 本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为100 mm、 125 mm、 150 mm的硅单晶研磨片。

Monocrystalline silicon as lapped wafers for TVS

T/CPIA 0037-2022 光伏晶体硅片规范

本文件规定了光伏电池片用光伏晶体硅片（以下简称硅片）的要求、检验方法、检验规则、包装、运输、贮存、质量证明书。 本文件适用于光伏直拉单晶硅片及铸造多晶硅片,类单晶硅片参照单晶硅片。

Specifications for Photovoltaic Crystalline Wafers

T/IAWBS 016-2022 碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法

本文件根据碳化硅单晶的材料性能特点，并结合目前国内碳化硅晶体质量检测技术的研究水平，对碳化硅单晶摇摆曲线的测量原理、测量精度保障、测量步骤等内容作出了规定。本文件的主要结构和内容如下： 本文件主题章共分为9章，主要内容包括：范围、 规范性引用文件、术语和定义、测试原理、测试仪器、干扰因素，测试环境、测试样品、测试程序、精密度、测试报告和附录。

X-ray double crystal rocking curve FWHM test method for silicon carbide single wafer

T/CNIA 0142-2022 氮化硅造粒粉

本文件规定了氮化硅造粒粉的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。

Silicon nitride granulated powder

YS/T 1510-2021 高纯锗粉

High purity germanium powder

T/NXCL 003-2021 平面硅锗靶材

本文件规定了大尺寸环形硅锗靶材的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规格、标志、包装、运输、贮存等方面的内容。其中技术要求包括基本要求、材质、化学成分、物理性能、物理规格、表面质量、内部缺陷、搭接率、平面度和背板材料。试验方法包括化学成分仲裁分析方法、物理性能检验方法以及物理规格、表面质量、内部缺陷、搭接率的测量方法。检验规则包括检查和验收、组批、检验项目、仲裁取样和制样、检验结果的判定。

Planar silicon germanium target

T/NXCL 004-2021 旋转硅靶材

本文件规定了旋转硅靶材的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规格、和标志、包装、运输、贮存等方面的内容。其中技术要求包括基本要求、材质、化学成分、物理性能、物理规格、外观质量、内部缺陷、旋转硅靶晶型、搭接率、表面质量和衬管材料。试验方法包括化学成分仲裁分析方法、物理性能检验方法以及物理规格、外观质量、内部缺陷、晶体形态、晶粒大小、搭接率、圆度和同轴度的测量方法。检验规则包括检查和验收、组批、检验项目、仲裁取样和制样、检验结果的判定。

Rotating silicon target

T/JSAS 015-2021 单晶硅太阳能电池片

7  要求 7.1  电池片尺寸 电池片的尺寸要求见表2。 7.2  外观 7.2.1  电池片正面外观应栅线图形完整、清晰，不允许有明显偏移、缺损。不应有氧化变色现象，保证具有良好的可焊性。其他要求见表3。 7.2.2  电池片背面外观应电极图形应完整、电极附着强度满足设计要求，电极应无虚印，无铝珠，无铝刺，无脱落，浆料不能接触到电池片边缘。具体要求见表3。 7.3  机械性能 7.3.1  翘曲度 一般情况下，电池的弯曲变形用电池的翘曲度来衡量，见表4。 7.3.2  电极与焊点拉力强度 电极附着应牢固，焊接后，电极与焊点应结合牢固，检测方法应符合GB/T 29195规定，测试到的拉力最小值为2.00 N/mm[除虚焊,过焊外, 180°测试稳定值的平均值]。 7.3.3  电池片不应存在裂纹、隐裂、穿孔及V型缺口。大小角及崩边等缺陷规定见表4。 7.4  电性能 7.4.1  电性能参数 电池电性能参数包括但不仅限于开路电压、短路电流、 填充因子、 最大功率、 转换效率、 低辐照度性能。电性能参数应符合相关产品详细规范的规定。 7.4.2  双面电池片双面率 多栅线双面电池其双面率应符合表5规定。 7.4.3  电池片单片功率、平均值、逆电流、并联电阻、电池效率、光衰减规定应符合表5规定。 7.5  电池片EL特性 7.5.1  电池片EL特性测试，其中A级及透明组件图谱中不应出现黑芯、裂片。 7.5.2  电池片EL特性测试，晶界痕、麻点、平行或垂直于主栅的黑线等不应超过封样。 7.5.3  电池片EL特性测试，其他缺陷要求见表6。 7.6  可靠性 7.6.1  耐候可靠性 按照IEC 61215-2，156.75 mm×156.75 mm型、166 mm×166 mm型、167.3 mm×167.3 mm型电池片做成组件后经过热循环，湿热循环，湿冻循环后无因电池片引起的不良，电性能衰减≤2%；210 mm×210 mm型电池片做成组件后经过热循环，湿热循环，热斑反向测试，动载及静载测试后无因电池片引起的不良，电性能衰减≤2%，扩展到TC400，DH2000h，衰减≤3%。 7.6.2  抗 PID 性能 电池片做成的组件在温度85℃，相对湿度85%的环境试验箱，施以反向偏压1500VDC不同时间，不同辐照度下的电性能衰减要求见表7。 7.6.3  低辐照度性能 由电池片做成的光伏组件在25 ℃±2 ℃和辐照度为200±20 W/m2的自然光或A类模拟器辐照下的I-V特性曲线形状应无异常畸变。性能要求156.75×156.75mm；166×166mm；167.3×167.3mm单晶电池片5BB 97.2%；MBB单晶 98.5%，210×210mm单晶双面MBB电池片98.5%。 7.7  材料 电池片主材均选择单晶硅片，不同型号电池片其电阻率范围及掺杂材料略有差别，主材料参数要求见表8。

Monocrystalline silicon solar cells

T/IAWBS 001-2021 碳化硅单晶

碳化硅作为重要的宽禁带半导体材料，与硅和砷化镓等传统半导体相比，在热导率、击穿场强、饱和电子漂移速率、键合能和化学稳定性等方面具有明显的优势，是制作高温、高频、高压、高功率以及抗辐射器件的理想材料，在新一代移动通信 、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景。随着碳化硅单晶生长和加工技术的进步，碳化硅单晶抛光片产量在快速增长。碳化硅（SiC）作为发展最为成熟的第三代半导体，是半导体界公认的“一种未来的材料”，是发展第三代半导体产业的关键基础材料。预计在今后5～10年将会快速发展和有显著成果出现。 随着碳化硅单晶生长和加工技术的进步，2英寸、3英寸、4英寸、6英寸中碳化硅单晶的生长质量也得到进一步提升。另外国内8英寸（150.0mm）碳化硅单晶已经面世，填补了我国在8英寸方面的空白。因此需要对T/IAWBS 001-2017《碳化硅单晶》团体标准中关于2英寸（50.8mm）、3英寸（76.2mm）、4英寸（100.0mm）、6英寸中相关指标要求进行调整，来满足不同用途的产品质量标准。

Silicon carbide single crystal

T/IAWBS 014-2021 碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法

随着科技的发展和进步，第三代半导体材料碳化硅（SiC）取得了令人瞩目的成就，所研发的碳化硅器件的性能指标远超当前硅基器件，并且成功实现了部分碳化硅器件的产业化，在一些重要的能源领域开始逐步取代硅基电力电子器件，并逐步展现出巨大的潜力。随着SiC单晶和外延技术的进步，碳化硅器件将逐步展现出其性能和降低系统成本方面的优势，将被广泛应用在5G通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域。 由于SiC本身的结构特点，在使用SiC形成衬底的过程中，以各种位错（包括刃位错、螺位错及基平面位错）为代表的微观缺陷都会急剧增加，从而大大降低衬底的质量。因此，测试碳化硅单晶抛光片的位错密度对改进衬底质量及器件性能具有重要的意义。

Test method for dislocation density of silicon carbide polished wafers

T/IAWBS 015-2021 氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法

氧化镓（Ga2O3）因其具有4.9 eV超宽带隙，且具有天然的日盲紫外特性以及极高的击穿场强获得了广泛关注。氧化镓拥有日盲、耐高压高温、低损耗高功率等特点，在半导体功率器件及电力电子器件市场前景广泛。氧化镓单晶材料是氧化镓生长最理想的衬底，对提高外延薄膜的质量，降低位错密度，提高器件效率，延长工作寿命等方面具有不可替代的优势。 氧化镓单晶材料的重要性能指标之一就是结晶质量，而高分辨X射线衍射摇摆曲线半高宽测试具有快速、无损、精度高等优点，是表征氧化镓单晶结晶质量的必要方法，编制本方法有助于规范行业内产品质量的评估，对产业的健康发展及半导体材料的标准化工作可起到重要的促进作用。

Test method for full width at half maximum of double crystal X-ray rocking curve of Ga2O3 single crystal substrate

BS IEC 62899-503-3:2021 印刷电子产品 质量评估 印刷薄膜晶体管接触电阻的测量方法 转移长度法

Printed electronics. Quality assessment. Measuring method of contact resistance for the printed thin film transistor. Transfer length method

T/ZZB 2332-2021 发光二极管用蓝宝石衬底抛光片

本文件规定了发光二极管用蓝宝石衬底抛光片（以下简称蓝宝石衬底片）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及质量承诺。 本文件适用于氮化镓基发光二极管（LED）外延生长的，直径为 100 mm 的蓝宝石衬底片。

Polished sapphire substrate for LED