G04 基础标准与通用方法 标准查询与下载
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本标准规定了测定化工产品中砷的通用方法。 本标准中的二乙基二硫代氨基甲酸银光度法适用于砷含量在1 μg~20 μg范围内的溶液测定，原子荧光光度法适用于砷含量在0.005 μg~2.5 μg范围内的溶液测定。
General method for determination of arsenic content of chemical products
- ICS
- 71.040.40
- CCS
- G04
- 发布
- 2016-12-13
- 实施
- 2017-07-01 00:00:00.0
本标准规定了在电子激发绝缘样品的俄歇电子能谱测量中，描述荷电控制方法所需的最少信息，该信息也一并报告在分析结果中。参见附录A提供的现有的AES分析前或分析期间荷电控制的有用方法。表A.1对各种方法和途径进行了总结，并依方法的简单性排列。表A.1中的一些方法对大多数仪器是可用的，一部分则需要特殊的硬件，还有部分可能涉及样品的重装或变动。
Surface chemical analysis—Auger electron spectroscopy—Reporting of methods used for charge control and charge correction
- ICS
- 71.040.40
- CCS
- G04
- 发布
- 2016-10-13
- 实施
- 2017-09-01 00:00:00.0
本标准规定了利用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)测定深度剖析离子溅射速率的方法，试样的离子溅射面积范围为0.4 mm~3.0 mm。本标准只适用于横向均匀的休相材料或单层材料，其离子溅射速率由溅射深度与溅射时间确定，溅射深度通过机械探针轮廓仪测得。 本标准提供了一种将深度剖析中的离子溅射时间转换为溅射深度的方法，并假设溅射速率恒定。 本方法不是为扫描探针显微系统设计的，因此不能用扫描探针显微系统评价该方法。本方法不适用于溅射面积小于0.4 mm的情况，也不适用于溅射诱导的表面粗糙度与被测区域的溅射深度相比较明显的情况。
Surface chemical analysis—Depth profiling—Measurement of sputtering rate: mesh-replica method using a mechanical stylus profilometer
- ICS
- 71.040.40
- CCS
- G04
- 发布
- 2016-10-13
- 实施
- 2017-09-01 00:00:00.0
本标准规定了利用辉光放电发射光谱测定金属氧化物膜厚度、单位面积质量和金属氧化物膜化学组成的方法。 本方法适用于测定金属上厚度为1 nm~10 000 nm的氧化物膜，氧化物的金属元素包括铁、铬、镍、铜、钛、硅、钼、锌、镁、锰和铝中的一种或多种。其他可测元素还包括氧、碳、氮、氢、磷和硫。
Surface chemical analysis—Analysis of metal oxide films by glow-discharge optical emission spectrometry
- ICS
- 71.040.40
- CCS
- G04
- 发布
- 2016-10-13
- 实施
- 2017-09-01 00:00:00.0
Surface chemical analysis—General procedures for quantitative compositional depth profiling by glow discharge optical emission spectrometry
- ICS
- 71.040.40
- CCS
- G04
- 发布
- 2016-10-13
- 实施
- 2017-09-01 00:00:00.0
Surface chemical analysis—Recording and reporting data in Auger electron spectroscopy (AES)
- ICS
- 71.040.40
- CCS
- G04
- 发布
- 2016-02-24
- 实施
- 2017-01-01 00:00:00.0
本标准详细规定了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中砷进行深度剖析的方法，以及用触针式轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。本标准适用于砷原子浓度范围从1 × 10 atoms/cm~2.5 × 10 atoms/cm的单晶硅、多晶硅、非晶硅样品，坑深在50 nm及以上。
Surface chemical analysis.Secondary-ion mass spectrometry.Method for depth profiling of arsenic in silicon
- ICS
- 71.040.40
- CCS
- G04
- 发布
- 2016-02-24
- 实施
- 2017-01-01
Determination for assay of organic peroxides—Iodometric method
- ICS
- 71.080.99
- CCS
- G04
- 发布
- 2015-10-09
- 实施
- 2016-05-01 00:00:00.0
本标准规定了表征以半导体探测器、前置放大器和信号处理系统为基本构成的X射线能谱仪(EDS)特性最重要的性能参数。本标准仅适用于基于固态电离原理的半导体探测器能谱仪。本标准规定了与扫描电镜(SEM)或电子探针(EPMA)联用的EDS性能参数的最低要求以及核查方法。至于实际分析过程，在ISO 22309和ASTM E1508中已有规范，不在本标准范围之内。
Microbeam analysis.Selected instrumental performance parameters for the specification and checking of energy dispersive X-ray spectrometers for use in electron probe microanalysis
- ICS
- 71.040.99
- CCS
- G04
- 发布
- 2015-10-09
- 实施
- 2016-09-01
本标准规定了使用电子探针波谱法进行元素面分析的方法。本标准规范了移动电子束对试样扫描的面分析(电子束面分析)和移动试样台的面分析(大面积面分析)两种模式的选择，给出了五种数据处理的方式：原始X射线强度法、K值法、校正曲线法、对比法和基体校正法。
Microbeam analysis.Electron probe microanalysis.Methods for elemental-mapping analysis using wavelengthdispersive spectroscopy
- ICS
- 71.040.50
- CCS
- G04
- 发布
- 2015-10-09
- 实施
- 2016-09-01
本标准规定「植物中游离氨基酸的测定方法，包括全自动氨基酸分析仪法(第一法)和高效液相色谱仪法〈第二法〉两种方法。 本标准适用于荼叶、中药材、烟叶等植物样品中的游离氨基酸的测定。 注﹔本标准检测的氨基酸种类叁见附录A。
Determination of free amino acids in plants
- ICS
- 07.080
- CCS
- G04
- 发布
- 2014-07-24
- 实施
- 2015-03-01
本标准规定了分析电镜(AEM/EDS)即透射电子显微镜或装有扫描附件的透射电镜配备X射线能谱仪(EDS),测量比例因子K所用纳米薄标样的技术要求、检测条件和检测方法。本标准适用于采用分析电镜(AEM/EDS)进行无机薄样品的微区元素定量分析。本标准不包括有机物和生物标样。
Microbeam analysis.General guide for the specification of nanometer thin reference materials for analytical transmission electron microscope (AEM/EDS)
- ICS
- 71.040.50
- CCS
- G04
- 发布
- 2014-07-24
- 实施
- 2015-03-01
本标准规定了高通量基因测序技术的术语与定义,测序的原理、技术指标、相关主要仪器、测序试剂及配制和测序方法的要求。本标准适用于对动物组织、血液、粪便、口腔黏膜、毛发、植物组织、土壤、微生物等生物样品进行高通量基因测序。本标准适用于单向测序、双向测序、混合样品测序三种类型的测序,也适用于表达谱测序、ChIP测序、癌症研究和分型、miRNA测序、微生物元基因组、病菌种类的检测、免疫学和免疫疾病工作、甲基化测序、序列多态性检测、临床基因诊断、个性化测序和基因组测序。
Technical regulation of high-throughput gene sequencing
- ICS
- 07.080
- CCS
- G04
- 发布
- 2014-07-24
- 实施
- 2015-03-01
本标准提供了表面化学分析样品安装和表面处理方法的指导。目的是帮助分析人员理解在使用俄歇电子能谱、二次离子质谱和X射线光电子能谱等表面分析技术进行分析时,所必需的专门样品处理条件。
Surface chemical analysis.Guidelines for preparation and mounting of specimens for analysis
- ICS
- 71.040.40
- CCS
- G04
- 发布
- 2014-06-24
- 实施
- 2015-02-01
本标准规定了进行电子探针分析时的人射电子束、波谱仪和试样的实验参数测定的]般原则〉并规定了束流、束流密度、死时间、波长分辨率、背底、分析面积、分析深度和分析体积的测定过程。 本标准适用于垂直人射电子束对抛光试样的分析〉对于其他实验条件,这些实验参数只能作为参考。 本标准不适用于能谱法。
Microbeam analysis.Electron probe microanalysis.Guidelines for the determination of experimental parameters for wavelength dispersive spectroscopy
- ICS
- 71.040.50
- CCS
- G04
- 发布
- 2014-06-09
- 实施
- 2014-12-01
本标准规定了硅片工作标准样品表面元素铁和/或镍的化学收集方法(气相分解法或直接酸性液滴分解法)和全反射X射线荧光光谱法(TXRF)测定。本标准适用于原子表面密度介于6×10 atoms/cm~5×10 atoms/cm范围的铁和/或镍。
Surface chemical analysis.Chemical methods for the collection of elements from the surface of silicon-wafer working reference materials and their determination by total-reflection X-ray fluorescence (TXRF) spectroscopy
- ICS
- 71.040.40
- CCS
- G04
- 发布
- 2014-06-09
- 实施
- 2014-12-01
本标准给出了使用电子背散射衍射(EBSD)技术进行晶体取向测量的指南,使测量数据具有较高的可靠性和重复性,本标准确立了试样制备、仪器配置、校正以及数据采集的一般原则。本标准适用于EBSD对块状晶体样品的晶粒取向分析。
Microbeam analysis.Guidelines for orientation measurement using electron backscatter diffraction
- ICS
- 71.040.50
- CCS
- G04
- 发布
- 2014-06-09
- 实施
- 2014-12-01
本标准适用于X射线光电子能谱仪的操作者分析典型样品。本标准帮助操作者完成整个分析过程,包括样品处理,谱仪校准和设定以及宽扫描谱和窄扫描谱的采集,并给出了定量和准备最终报告的建议。
Surface chemical analysis.X-ray photoelectron spectroscopy.Guidelines for analysis
- ICS
- 71.040.40
- CCS
- G04
- 发布
- 2014-06-09
- 实施
- 2014-12-01
本标准规定了在俄歇电子能谱和X射线光电子能谱均匀材料定量分析中相对灵敏度因子的实验测量和使用指南。
Surface chemical analysis.Auger electron spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy.Guide to the use of experimentally determined relative sensitivity factors for the quantitative analysis of homogeneous materials
- ICS
- 71.040.40
- CCS
- G04
- 发布
- 2014-06-09
- 实施
- 2014-12-01
本标准规定了用于表面元素和化学态分析的俄歇电子能谱的动能标校准方法。并且还规定了校准日程安排,用于在中间某一能量值测试动能标线性、在高低动能区各取一点确认标尺校准的不确定度、校正标尺小漂移以及规定在95%置信度时该动能标校准的扩展不确定度(这个不确定度包括实验室之间研究中观察到的各种现象,但不涵盖所有可能的缺陷)。本标准仅适用于配备溅射清洁离子枪的仪器。不适用于以下情况的仪器:动能标尺的误差随能量明显非线性变化;工作于谱仪的相对分辨率低于0.2%的固定△E/E模式或固定△E为1.5 eV模式时,要求容差极限为±0.05 eV或更小。也不适用于电子枪不能在5 keV~10 keV能量范围操作的仪器。本标准不提供全标尺校准检验,该检验要对每一个在能量标尺上能设定的点加以验证,且应按仪器制造商的推荐程序进行。
Surface chemical analysis.High-resolution Auger electron spectrometers.Calibration of energy scales for elemental and chemical-state analysis
- ICS
- 71.040.40
- CCS
- G04
- 发布
- 2013-09-18
- 实施
- 2014-06-01
