H21 金属物理性能试验方法 标准查询与下载

GB/T 1423-1996 贵金属及其合金密度的测试方法

本标准规定了贵金属及其合金材料室温密度的测定方法。 本标准适用于贵金属及其合金材料室温密度的测定。其他金属及合金材料以及部分非金属固体材料亦可参照使用。 本标准不适用于粉末材料及多孔材料密度的测定。

Method of measurement of density for precious metals and their alloys

GB/T 16596-1996 确定晶片坐标系规范

本标准规定了利用晶片中心作为极坐标（r-θ-z）或直角坐标（X-Y-Z）的原点，可用于确定晶片上任意一点位置的晶片坐标系。 对于非构图晶片，可直接使用本晶片坐标系统或与矩形阵列或极坐标重叠阵列一起使用本晶片坐标系。 本晶片坐标系也可用于确定另一坐标系的原点或其他基准点的位置，而这另一坐标系则常表示或记录在构图或非构图晶片上的局部区域、芯片或图形阵列的位置特征。这样，该阵列体坛系可定位晶片的实际几何图形。

Specification for establishing a wafer coordinate system

GB/T 6621-1995 硅抛光片表面平整度测试方法

本标准规定了用相干光的干涉现象测量硅抛光片表面平整度的方法。 本标准适用于检测硅拋光片的表面平整度，也适用于检测硅外延片和类镜面状半导体晶片的表面平整度。

Test methods for surface flatness of silicon polished slices

GB/T 6620-1995 硅片翘曲度非接触式测试方法

本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片（以下简称硅片）翘曲度的非近接触式测量方法。 本标准适用于测量直径大于50mm，厚度为150～1000μm的圆形硅片的翘曲度。本标准也适用于测量其他半导体圆片的翘曲度。

Test method for measuring warp on silicon slices by nontact scanning

GB/T 6619-1995 硅片弯曲度测试方法

本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片（以下简称硅片）弯曲度的接触式测量方法。 本标准适用于测量直径大于50mm，厚度为200～1000μm的圆形硅片的弯曲度。本标准也适用于测量其他半导体圆片弯曲度。

Test methods for bow of silicon slices

GB/T 6618-1995 硅片厚度和总厚度变化测试方法

本标准规定了硅单晶切割片、研磨片和抛光片（简称硅片）厚度和总厚度变化的分立点式和扫描式测量方法。

Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices

GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。 本标准适用于测量晶体取向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量与衬底同型或反型的硅外延层的电阻率。测量范围：10～10Ω·cm。

Test method for measuring resistivity of silicon wafers using spreading resistance probe

GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层 电阻测定 非接触涡流法

本标准规定了硅片体电阻率和硅薄膜薄层电阻的非接触涡流测量方法。 本标准适用于测量直径或边长大于30mm、厚度为0.1～1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片（简称硅片）的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时，衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。 硅片体电阻率和硅薄膜薄层电阻测量范围分别为1.0×10～2×10Ω·cm和2～3×10π/□。

Test method for measuring resistivity of semiconductor silicon or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gage

GB/T 6624-1995 硅抛光片表面质量目测检验方法

本标准规定了在一定光照条件下，用目测检验硅单晶单面抛光片（以下简称抛光片）表面质量的方法。 本标准适用于硅抛光片表面质量检验。

Standard method for measuring the surface quality of polished silicon slices by visual inspection

GB/T 1480-1995 金属粉末粒度组成的测定 干筛分法

本标准规定了测定金属粉末粒度组成的干筛分法。 本标准适用于干的、不含润滑剂的金属粉末。 本标准不适用于明显不等轴的金属粉末（如片状粉末）及颗粒尺寸全部或大部分小于45μm的金属粉末。

Determination of particle size for metallic powders--Dry sieving

GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法

本标准规定了用直流两探针测量硅和锗单晶锭电阻率的方法。 本标准适用于测量截面积均匀的圆形、方形或矩形单晶锭的电阻率。测量范围：硅单晶为10～10Ω·cm,锗单晶为5×10～10Ω·cm。试样长度与截面最大尺寸之比应不小于3：1

Test method for resistivity of silicon and germanium bars using a two-point probe

GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法

本标准规定了用直排四探针测量硅、锗单晶电阻率的方法。 本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于控针间距的4倍的硅、锗单晶的体电阻率以及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于控针间距4倍的硅、锗单晶圆片（简称圆片）的电阻率。测量范围为硅：1×10～3×10Ω·cm，锗：1×10、1×10Ω·cm。

Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon and germanium with a collinear four-probe array

GB/T 351-1995 金属材料电阻系数测量方法

本标准规定了金属材料电阻系数测量方法的名词术语、测量仪器、试样、测量程序、测量结果及计算、试验记录及报告。 本标准适用于黑色金属线材制品及其他导电材料的电阻、电阻系数、质量电阻率及单位长度电阻的测量，并作为测定标准条件下电阻系数在0.01～2.0Ω·mm/m范围内的仲裁测量方法。

Metallic materials--Resistivity measurement method

GB/T 15250-1994 压电铌酸锂单晶体声波衰减测试方法

本标准规定了压电铌酸锂单晶体声波衰减测试的术语、方法原理、试样制备、测试步骤和结果计算。 本标准适用于压电铌酸锂单晶材料，也适用于压电钽酸锂、钼酸铅和二氧化碲等单晶材料。

Test method for bulk acoustic wave attenuation of piezoelectric lithium niobate crystals

GB/T 15078-1994 贵金属电触点材料接触电阻的测量方法

本标准规定了贵金属及其合金电触点材料接触电阻的测量方法（静态接触）。 本标准适用于贵金属及其合金电触点材料接触电阻的测量。其他金属及合金电触点材料亦可参照使用。

Measuring method for contact resistance of precious metal electrical contact materials

GB/T 15077-1994 贵金属及其合金材料几何尺寸测量方法

本标准规定了贵金属及其合金板、带、管、线、棒材和复合材料几何尺寸的测量方法。 本标准适用于贵金属及其合金板、带、管、线、棒材和复合材料几何尺寸的测量。 本标准也可用于其他金属材料几何尺寸的测量。

Geometric size measuring methods of precious metals and their alloy materials

GB/T 14453-1993 金属材料高温弹性模量测量方法 圆盘振子法

本标准规定了金属材料高温弹性模量测量方法圆盘振子法的术语、定义、符号、测量原理与公式、测量器具与装置、试样、测量条件与操作要求、数据处理、精度与偏差以及试验报告等。 本标准适用于室温至十2000C间材质均匀的金属材料圆盘状试样共振频率的测量，由此可确定试样的动态杨氏模量、动态切变模量及动态泊松比。也适用于玻璃、陶瓷等材质均匀、各向同性的其他固体材料的检测。

Metallic materials. Standard test method for the elastic modulus at high temperature. The method of disc. Vibrator

GB/T 14202-1993 铁矿石(烧结矿、球团矿)容积密度测定方法

本标准规定了两个测定方法，用来测定天然的和人造铁矿石的容积密度。 方法1适用于最大粒度在40.0mm以下的铁矿石。 方法2适用于任何最大粒度的铁矿石。 注：这里测得的容积密度并不一定能够代表天然矿或人造矿在紧密状态或堆存状态下的实际容积密度。

Iron ores (sinter and pellets)--Determination of bulk density

GB/T 14201-1993 铁矿球团抗压强度测定方法

本标准规定了铁矿球团抗压强度测定方法的适用范围、定义、原理、试验设备、试样制备、试验程序、试验结果和试验报告。 本标准适用于铁矿石焙烧球团抗压强度的测定。 本标准不适用于圆柱形和其他团矿及铁矿石还原球团抗压强度的测定。

Iron ore pellets--Determination of crushing strength

GB/T 14146-1993 硅外延层载流子浓度测定和探针电容--电压法

本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容-电压测量方法。 本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。测量范围为10～10cm。

Silicon epitaxial layers--Determination of carrier concentration--Mercury probe Valtage-capacitance method