H80 半金属与半导体材料综合 标准查询与下载

GB/T 26068-2010 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法

1 本方法适用于测量均匀掺杂、经过抛光处理的n型或p型硅片的载流子复合寿命。本方法是非破坏性、无接触测量。在电导率检测系统的灵敏度足够的条件下，本方法也可应用于测试切割或者经过研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。 2 被测硅片的室温电阻率下限由检测系统灵敏度的极限确定，通常在0.05•cm～1Ω•cm之间。 3 分析工艺过程、检查沾污源以及对测量数据进行解释以判别杂质中心的形成机理和本质不在本方法范围内。本方法仅在非常有限的条件下，例如通过对比某特定工艺前后载流子符合寿命测试值，可以识别引入沾污的工序，识别某些个别的杂质种类。

Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance

GB/T 26065-2010 硅单晶抛光试验片规范

1.本标准规定了半导体器件制备中用作检验和工艺控制的硅单晶试验片的技术要求。 2.本标准涵盖尺寸规格、结晶取向及表面缺陷等特性要求。本标准涉及了50.8mm～300mm所有标准直径的硅抛光试验片技术要求。 3.对于更高要求的硅单晶抛光片规格，如：颗粒测试硅片、光刻分辨率试验用硅片以及金属离子监控片等，参见SEMI24《硅单晶优质抛光片规范》。

Specification for polished test silicon wafers

GB/T 25076-2010 太阳电池用硅单晶

本标准规定了太阳电池用硅单晶的技术要求、试验方法，检验规则及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于直拉掺杂制备的地面空间太阳电池用硅单晶。

Monocrystalline silicon of solar cell

GB/T 25075-2010 太阳能电池用砷化镓单晶

本标准规定了太阳能电池用砷化镓单晶棒的分类、技术要求、检验方法和规则及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于制造砷化镓太阳能电池的砷化镓单晶滚圆棒。

Gallium arsenide single crystal for solar cell

GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法

本标准采用红外光谱法测定硅晶体中间隙氧含量径向的变化。本标准需要用到无氧参比样品和一套经过认证的用于校准设备的标准样品。 本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω•cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω•cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。 本标准测量氧含量的有效范围从1×10at•cm至硅晶体中间隙氧的最大固溶度。

Testing method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon

GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法

本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蚀片也可参照此方法。 本标准适用于测量标准直径76mm,100mm,125mm,150mm,200mm,电阻率不大于200Ω•cm厚度不大于1000μm的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。

Testing methods for surface flatness of silicon slices

GB/T 4061-2009 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

本标准规定了以三氯氢硅和四氯氢硅为原料在还原炉内用氢气还原出的硅多晶棒的断面夹层化学腐蚀检验方法。 本标准关于断面夹层的检验适用于以三氯氢硅和四氯氢硅为原料,以细硅芯为发热体,在还原炉内用氢气还原沉积生长出来的硅多晶棒。

Polycrystalline silicon-examination method-assessment of sandwiches on cross-section by chemical corrosion

GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定.汞探针电容-电压法

本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容-电压测量方法。 本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。测量范围为：4×10cm～8×10cm。 本标准测试的硅外延层的厚度必须大于测试偏压下耗尽的深度。 本标准也适用于硅抛光片的载流子浓度测量。

Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method

GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测定方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。 本标准为脉冲光方法。这种方法不破坏试样的内在特性，试样可以重复测试，但要求试样具有特殊的条形尺寸和淹没的表面，见表1。 本标准可测的最低寿命值为10μs，取决于光源的余辉。不适用于抛光片的验收测试。

Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay

GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法

本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法。 本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅单晶电阻率有及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距的4倍的单晶圆片的电阻率。本方法可测定的硅单晶电阻率范围为1×10Ω•cm～3×10Ω•cm。

Test method for measuring resistivity of monocrystal silicom

GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法

本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片和外延片(简称硅片)厚度和总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。 本标准适用于符合GB／T 12964、GB／T 12965、GB／T 14139规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变化的测量。在测试仪器允许的情况下，本标准也可用于其他规格硅片的厚度和总厚度变化的测量。

Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices

GB/T 6619-2009 硅片弯曲度测试方法

本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片弯曲度的接触式测量方法。 本标准适用于测量直径不小于25mm,厚度为不小于180μm,直径和厚度比值不大于250的圆形硅片的弯曲度。本测试方法的目的是用于来料验收和过程控制。本标准也适用于测量其他半导体圆片弯曲度。

Test method for bow of silicon wafers

GB/T 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法

本标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。 本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。 本标准用于检测单晶硅中含量为1×lO at•cm ～5×10 at•cm 的各种电活性杂质元素。

Test methods for photolumininescence analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities

GB/T 14264-2009 半导体材料术语

本标准规定了半导体材料及其生长工艺、加工、晶体缺陷和表面沾污等方面的主要术语和定义。 本标准适用于元素和化合物半导体材料。

Semiconductor materials-Terms and definitions

GB/T 13387-2009 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法

本标准涵盖了对晶片边缘平直部分长度的确认方法。 本标准适用于标称圆形晶片边缘平直部分长度小于等于65mm的电学材料。本标准仅对硅片精度进行确认，预期精度不因材料而改变。 本标准适用于仲裁测量，当规定的限度要求高于用尺子和肉眼检测能够获得的精度时，本标准也可用于常规验收测量。 本标准不涉及安全问题，即使有也与标准的使用相联系。建立合适的安全和保障措施及确定规章制度的应用范围是标准使用者的责任。

Test method for measuring flat length wafers of silicon and other electronic materials

GB/T 24582-2009 酸浸取.电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质

本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质，并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面上的金属杂质痕量分析方法。 本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌以及其他元素如铝的检测。 本标准适用于各种棒、块、粒、片状多晶表面金属污染物的检测。由于块、片或粒形状不规则，面积很难准确测定，故根据样品重量计算结果，使用的样品重量为50 g～300 g，检测限为0.01 ng/mL。 酸的浓度、组成、温度和浸取时间决定着表面腐蚀深度和表面污染物的浸取效益。在这个实验方法中腐蚀掉的样品重量小于样品的重量的1%。 本标准适用于重量为25 g～5000 g的样品的测定，为了达到仲裁的目的，该实验方法规定样品的重量为约300 g。

Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry

GB/T 13388-2009 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法

本标准规定了a角的测量方法，a角为垂直于圆型硅片基准参考平面的晶向与硅片表面参考面间角。 本标准适用于硅片的参考面长度范围应符合GB／T 12964和GB／T 12965中的规定，且硅片角度偏离应在-5º到+5º范围之内。 由本标准测定的晶向精度直接依赖于参考表面与基准挡板的匹配精度和挡板与相对于的x射线的取向精度。 本标准包含如下两种测试方法： 测试方法1-X射线边缘衍射法 测试方法2-劳厄背反射X射线法 测试方法1是非破坏性的，为了使硅片唯一的相对于X射线测角器定位，除了使用特殊的硅片夹具外，与GB／T 1555测试方法1类似。与劳厄背反射法相比，该技术测量参考面的晶向能得到更高的精度。 方法2也是非破坏性的，为了使参考面相对于X射线束定位，除了使用“瞬时”底片和特殊夹具外，与ASTM E82和DIN 50433测试方法第3部分类似。虽然方法2更简单快速，但不具有方法l的精度，因为其使用的仪器和夹具装置精确度较低且成本较低。方法2提供了一个测量的永久性底片的 记录。 注：解释Laue照片可以获得硅片取向误差的信息。然而这超出了测试方法的范围。愿意进行这种解释的用户，可 以参阅ASTM E82和DIN50433测试方法第3部分或标准的X射线教科书。由于可以使用不同的夹具，方法2也适用于硅片表面取向的测定。 本标准中的数值均以公制为单位，英制单位的数值放在括号内仅作为信息提供。 注：本标准不涉及安全问题，即使有也与标准的使用相联系。标准使用前，建立合适的安全和保障措施以及确定规 章制度的廊用范围是标准使用者的责任。

Method for measuring crystallographic orientation of flats on single-crystal silicon slices and wafers by X-ray techniques

GB/T 24577-2009 热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物

1.1本标准规定了硅片表面的有机污染物的定性和定量方法，采用气质联用仪或磷选择检测器或者两者同时采用。 1.2本标准描述了热解吸气相色谱仪(TD-GC)以及有关样品制备和分析的相关程序。 1.3本标准的检测限范围取决于被检测的有机化合物，比如碳氢化合物(C～C)的检测范围就是 10 g/cm～10g/cm。 1.4本标准适用于硅抛光片和有氧化层的硅片。 1.5本标准中包含了两种方法。方法A适用于切割后的硅片，方法B则适用于完整的硅片。两种方法的不同点在第7部分中有详细描述。

Test methods for analyzing organic contaminants on silicon water surfaces by thermal desorption gas chromatography

GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法

本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径或边长大于25mm、厚度为0.1mm-1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时，衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。 硅片电阻率和薄膜薄层电阻测量范围分别为1.0*10Ω•cm-2*10Ω•cm和2*10Ω/□~3*10Ω/□ 。

Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge

GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。 本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层 的电阻率，测量范围：10Ω·cm～10 Ω·cm。

Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe