H82 元素半导体材料 标准查询与下载

GB/T 25074-2017(英文版) 太阳能级多晶硅

Solar grade polycrystalline silicon

GB/T 32651-2016 采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法

本标准规定了采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的方法。 本标准适用于太阳能级硅材料中痕量元素的测定，其中铁(Fe)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、硼(B)、磷(P)、钙(Ca)、钠(Na)、镁(Mg)、铝(Al)、砷(As)、钪(Sc)、钛(Ti)、钒(V)、锰(Mn)、钴(Co)、镓(Ga)等元素的测定范围为5 μg/kg~50 mg/kg。本方法适用于分析多种物理形态的以及添加任何种类和浓度掺杂剂的硅材料，例如多晶硅粉末、颗粒、块、锭、片和单晶硅棒、块、片等。

Test method for measuring trace elements in photovoltaic-grade silicon by high-mass resolution glow discharge mass spectrometry

GB/T 31854-2015 光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法

本标准规定了利用电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS)测定光伏电池用硅材料中痕量体金属杂质含量的方法。 本标准适用于光伏电池用硅材料中痕量体金属杂质铁、铬、镍、铜、锌含量的测定。各元素的测量范围见表1。

Test method for measuring metallic impurities content in silicon materials used for photovoltaic applications by inductively coupled plasma mass spectrometry

GB/T 12963-2014 电子级多晶硅

本标准规定了多晶硅的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于以氯硅烷、硅烷制得的多晶硅。

Electronic-grade polycrystalline silicon

GB/T 30861-2014 太阳能电池用锗衬底片

本标准规定了太阳能电池用锗衬底片的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。本标准适用于垂直梯度凝固法(VGF)和直拉法(CZ)制备的太阳能电池用锗衬底片(以下简称锗衬底片)。

Germanium substrate for solar cell

GB/T 29851-2013 光伏电池用硅材料中B、Al受主杂质含量的二次离子质谱测量方法

本标准规定了用二次离子质谱仪(SIMS)测定光伏电池用硅材料中硼和铝含量的方法。本标准适用于光伏电池用硅材料中受主杂质硼和铝含量的定量分析,其中硼和铝的浓度均大于1×10 atoms/cm。其他受主杂质的测量也可参照本标准。

Test method for measuring boron and aluminium in silicon materials used for photovoltaic applications by secondary ion mass spectrometry

GB/T 29852-2013 光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法

本标准规定了用二次离子质谱仪(SIMS)测定光伏电池用硅材料中磷、砷和锑含量的方法。本标准适用于光伏电池用硅材料中施主杂质磷、砷和锑含量的定量分析,其中磷、砷和锑的浓度均大于 1×10atoms/cm。

Test method for measuring phosphorus, arsenic and antimony in silicon materials used for photovoltaic applications by secondary ion mass spectrometry

GB/T 29849-2013 光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法

本标准规定了利用电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)测定光伏电池用硅材料表面痕量金属杂质含量的方法。本标准适用于光伏电池用硅材料表面痕量金属杂质钠、镁、铝、钾、钙、钛、铬、铁、镍、铜、锌、钼含量的测定。各元素的测量范围见表1。

Test method for measuring surface metallic contamination of silicon materials used for photovoltaic applications by inductively coupled plasma mass spectrometry

GB/T 29850-2013 光伏电池用硅材料补偿度测量方法

本标准规定了光伏电池用硅材料补偿度的测量和分析方法n 本标准适用于光伏电池用非掺杂硅材料补偿度的测量和分析n

Test method for measuring compensation degree of silicon materials used for photovoltaic applications

GB/T 29506-2013 300mm 硅单晶抛光片

本标准规定了直径300 mm、p型、〈100〉晶向、电阻率0.5 Ω·cm~20 Ω·cm规格的硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于直径300 mm直拉单晶磨削片经双面抛光制备的硅单晶抛光片,产品主要用于满足集成电路IC用线宽90 nm技术需求的衬底片。

300 mm polished monocrystalline silicon wafers

GB/T 29508-2013 300mm 硅单晶切割片和磨削片

本标准规定了直径300 mm、p型、晶向、电阻率0.5Ω·cm~20Ω·cm的硅单晶切割片和磨削片(简称硅片)产品的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于直径300 mm直拉单晶经切割、磨削制备的圆形硅片,产品将进一步加工成抛光片,用于制作集成电路IC用线宽90 nm技术需求的衬底片。

300 mm monocrystalline silicon as cut slices and grinded slices

GB/T 29054-2012 太阳能级铸造多晶硅块

本标准规定了太阳能级铸造多晶硅块的产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等、本标准适用于利用铸造技术制备多晶硅片的多晶硅块、

Solar-grade casting multi-crystalline silicon brick

GB/T 26072-2010 太阳能电池用锗单晶

本标准规定了太阳能电池用锗单晶棒的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单内容。 本标准适用于垂直梯度凝固法（VGF）和直拉法（CZ）制备的太阳能电池用锗单晶滚圆棒.

Germanium single crystal solar cell

GB/T 25074-2010 太阳能级多晶硅

本标准规定了太阳能级多晶硅的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则和包装、标志、运输、贮存及订货单(或合同)内容等。 本标准适用于以氯硅烷为原料采用(改良)西门子法和硅烷法等工艺生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。产品主要用于太阳能级单晶硅棒和定向凝固多晶硅锭的生产。

Solar-grade polycrystalline silicon

GB/T 12963-2009 硅多晶

本标准规定了硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。 本标准适用于以三氯氢硅或四氯化硅用氢还原法制得的硅多晶。

Specification for polycrystalline silicon

GB/T 14140-2009 硅片直径测量方法

本标准规定了用光学投影仪测量硅片直径的方法。 本标准适用于测量圆形硅片的直径，可测最大直径为 ∮300mm。不适用于测量硅片的不圆度。

Test method for measuring diameter of semiconductor wafer

GB/T 6620-2009 硅片翘曲度非接触式测试方法

本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片翘曲度的非接触式测试方法。 本标准适用于测量直径大于50mm,厚度大于180μm的圆形硅片。本标准也适用于测量其他半导体圆片的翘曲度。本测试方法的目的是用于来料验收或过程控制。本测试方法也适用于监视器件加工过程中硅片翘曲度的热化学效应。

Test method for measuring warp on silicon slices by noncontact scanning

GB/T 11070-2006 还原锗锭

本标准规定了还原锗锭的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、订货单（或合同）。 本标准适用于以高纯二氧化锗为原料，经氢还原法制备的锗锭。产品主要用于制备区熔锗锭。

Reduced germanium ingot

GB/T 11069-2006 高纯二氧化锗

本标准规定了高纯二氧化锗的要求、试验方法、检验规则和包装、标志、运输、贮存及合同内容等。 本标准适用于以高纯四氯化锗为原料、经水解、洗涤和烘干制得的高纯二氧化锗。产品供制作还原锗、有机锗、催化剂、光纤用四氯化锗、锗酸铋（BGO）晶体及化合物晶体等。

High purity germanium dioxide

GB/T 11071-2006 区熔锗锭

本标准规定了区熔锗锭的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、储存等。 本标准适用于以还原锗锭及锗单晶返料为原料，经区熔提纯而制得的高纯锗锭。ZGe-0区熔锗锭主要用于制备探测器用高纯单晶，ZGe-1区熔锗锭主要用于制备半导体单晶、红外光学锗单晶、锗合金等。

Zone-refined germanium ingot