四探针测试仪 标准查询与下载
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本标准规定了JD41-5/ZM型四探针测试仪的完好要求和检查、评定方法。 本标准只适用于D41-5/ZM型四探针测试仪
Requirements of readiness and methods of inspection and assessment for four-point probes
Resistivity Measuring Instruments with Four - Probe Array Method
Verification Regulation of Resistivity Measuring Instruments with Four-Prope Array Method
本标准规定了直流四探针电阻率测试仪的主要技术性能、测试方法、检测规则、包装、运输、贮存要求等。 本标准适用于电子和冶金等行业生产与科研中测量半导体、金属薄层等的电阻率、薄层电阻和电阻的直流四探针测试仪，其它以四探针法为基础的六探针、交直流四探针电阻率、薄层电阻测试仪可参照使用
Generic specification of resistivity measuring instrument with four-point probe
Determination of square resistance of graphene conductive ink by four-probe method
本标准规定了用直流四探针法测量锗单晶电阻率的方法。 本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍锗单晶的电阻率及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距4倍锗单晶圆片的电阻率。测量范围为1×10-3Ω•cm～1×102Ω•cm
Germanium monocrystal.Measurement of resistivity-DC linear four-point probe
Dynamic four-probe method for the determination of electrical conductivity of graphene powder
Four-probe method for non-destructive testing of sheet resistance of nanometer and submicron scale thin films on substrate surface
本标准规定了四探针探头的术语、技术要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存要求等。 本标准适用于电子和冶金等行业所使用的四探针法测试半导体棒、片、薄层以及金属薄层的电阻率、薄层电阻和电阻的探头。 本标准与3J/T 10314《直流四探针电阻率测试仪通用技术条件》标准配套
Generic specification of Four-point probe
本文件规定了用直排四探针法和直流两探针法测试硅单晶电阻率的方法。 本文件适用于硅单晶电阻率的测试,其中直排四探针法可测试的p 型硅单晶电阻率范围为7×10 Ω·cm~8×103 Ω·cm,n 型硅单晶电阻率范围为7×10-4 Ω·cm~1.5×104 Ω·cm;直流两探针法适用于测试截面积均匀的圆形
Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon—In-line four-point probe and direct current two-point probe method
本标准规定了碳纳米管粉体压制成厚块的电阻率的四探针测试方法。本标准适用于采用四探针法测试试样厚度大于4 倍探针间距的碳纳米管粉体电阻率的样品。其他碳材料的粉体电阻率测试可参考执行
Nanotechnology—Resistivity of carbon nanotube powder—Four probe method
TESTING METHODS OF RESISTIVITY FOR SINGLE CRYSTAL SILICON WAFERS WITH FOUR-POINT PROBE
Testing method of resistivity for silicon crystals and silicon wafers with four - point probe
本标准规定了四探针法测试石墨烯粉体电导率的术语和定义、原理、试验条件、仪器设备、样品、试验步骤、实验数据处理和试验报告。 本标准适用于石墨烯粉体电导率的测定，其他碳材料粉体电导率的测定可参照执行
Graphene test method for the determination of powder conductivity four-probe method
이 규격은 뇌파검사에 있어서 부활을 목적으로 하는, 크세논관을 사용한 섬광 자극장치에
Photic stimulators for electroencephalographs
